|
جزئیات محصول:
|
| نام محصول: | ترانزیستور برق Mosfet | تایپ کنید: | ترانزیستور mosfet |
|---|---|---|---|
| شناسه محصول: | HXY4616 | VDS: | 40 ولت |
| ویژگی های: | بسته نصب سطح | VGS: | 20V پوند |
| برجسته: | n ترانزیستور کانال mosfet,سوئیچ Mosfet جریان بالا |
||
MXFET مکمل HXY4616 30V
شرح
HXY4616 از فن آوری پیشرفته سنگر برای فراهم کردن RDS (ON) و شارژ کم دروازه استفاده می کند. پیکربندی MOSFET کانال N و P این مکمل برای برنامه های اینورتر ولتاژ کم مصرف ایده آل است.
A. مقدار R θ JA با دستگاه نصب شده بر روی 1in A = 25 درجه سانتیگراد اندازه گیری می شود. مقدار در هر برنامه کاربردی به طراحی صفحه خاص کاربر بستگی دارد. تخته 2 FR-4 با 2oz. مس ، در یک محیط هوای آرام با T
B. اتلاف توان P D بر اساس T J (MAX) = 150 درجه سانتیگراد و با استفاده از مقاومت حرارتی 10 s اتصال به محیط است. امتیاز تکراری ، عرض پالس محدود به دمای اتصال T J (MAX) = 150 درجه سانتیگراد. رتبه بندی ها بر اساس چرخه های فرکانس پایین و وظیفه برای نگه داشتن اولیهT J = 25 درجه سانتیگراد است.
D. R J J : مجموع مقاومت در برابر گرما از محل اتصال به سرب R θ JL و منجر به محیط است.
E. خصوصیات استاتیک در شکل های 1 تا 6 با استفاده از پالس <300μs ، چرخه وظیفه حداکثر 0.5٪ بدست می آید.
F. این منحنی ها بر پایه مقاومت به حرارتی اتصال به محیط است که با دستگاه نصب شده در صفحه 1in 2 FR-4 با 2oz اندازه گیری می شود. مس با فرض حداکثر دمای اتصال T J (MAX) = 150 درجه سانتیگراد. منحنی SOA یک راسین پالس منفرد را فراهم می کند.
تماس با شخص: David
