|
جزئیات محصول:
|
| کاربرد:: | مدارهای سوئیچ نیرو | شماره مدل:: | APEC |
|---|---|---|---|
| نوع تامین کننده:: | سازنده اصلی ، نمایندگی ، خرده فروش | VDS:: | 30 ولت |
| دمای کارکرد:: | -55 تا 150 | VGS:: | -20 ولت تا 20 ولت |
| برجسته: | ترانزیستور قدرت BF Quotation Mosfet,ترانزیستور BOM Quotation Mosfet Power,AP2344GN-H MOSFET ترانزیستور |
||
عمده فروشی قطعات الکترونیکی پشتیبانی BOM نقل قول AP2344GN-H
شرح
سری AP2344 از فناوری نوآورانه Advanced Power و فناوری فرآیند سیلیکون برای دستیابی به کمترین مقاومت در برابر مقاومت و عملکرد سوئیچینگ سریع است.این دستگاه طرحی فوق العاده کارآمد را برای استفاده در طیف وسیعی از برنامه های قدرت در اختیار طراح قرار می دهد.
بسته ویژه طراحی ویژه SOT-23 با عملکرد حرارتی خوب به طور گسترده ای برای همه برنامه های نصب سطح تجاری-صنعتی با استفاده از تکنیک reflowred مادون قرمز و مناسب برای کاربردهای تبدیل ولتاژ یا سوئیچ ترجیح داده می شود.
حداکثر امتیازات مطلق @ Tج= 25ایC (مگر اینکه خلاف آن مشخص شده باشد)
| نماد | پارامتر | رتبه بندی | واحدها |
| VDS | ولتاژ منبع تخلیه | 20 | V |
| VGS | ولتاژ منبع گیت | +8 | V |
| مندTآ= 25 ℃ | تخلیه جریان3، VGS @ 4.5 ولت | 6.4 | آ |
| مندTآ= 70 | تخلیه جریان3، VGS @ 4.5 ولت | 5.1 | آ |
| IDM | جریان تخلیه پالسی1 | 20 | آ |
| پدTآ= 25 ℃ | اتلاف کل برق | 38/1 | دبلیو |
| TSTG | محدوده دما | -55 تا 150 | ℃ |
| تیج | محدوده دمای محل اتصال | -55 تا 150 | ℃ |
داده های حرارتی
| نماد | پارامتر | ارزش | واحد |
| Rthj-a | حداکثر مقاومت حرارتی ، محل اتصال3 | 90 | ℃ / W |
مشخصات الکتریکی @ Tج= 25ایC (مگر اینکه خلاف آن مشخص شده باشد)
| نماد | پارامتر | شرایط آزمون | حداقل | نوع | حداکثر | واحدها |
| BVDSS | ولتاژ خرابی منبع تخلیه | VGS= 0 ولت ، مند= 250uA | 20 | - | - | V |
| RDS (روشن) | مقاومت در برابر منبع تخلیه استاتیک2 | VGS= 4.5 ولت ، مند= 6A | - | - | 22 | mΩ |
| VGS= 2.5 ولت ، مند= 4A | - | - | 32 | mΩ | ||
| VGS= 1.8 ولت ، مند= 2A | - | - | 40 | mΩ | ||
| VGS (هفتم) | ولتاژ آستانه گیت | VDS= VGS، مند= 250uA | 0.4 | - | 1 | V |
| شناسه (روشن) | در جریان تخلیه حالت | VGS= 4.5 ولت ، ولتاژDS= 5 ولت | 30 | - | - | آ |
| gfs | رسانایی به جلو | VDS= 5 ولت ، مند= 6A | - | 27 | - | S |
| IDSS | جریان نشتی منبع تخلیه | VDS= 16 ولت ، ولتاژGS= 0 ولت | - | - | 1 | uA |
| IGSS | نشت منبع گیت | VGS=+8 ولت ، ولتاژDS= 0 ولت | - | - | +10 | uA |
| سg | شارژ کل گیت |
مند= 6A VDS= 10 ولتGS= 4.5 ولت |
- | 22 | 35.2 | nC |
| Qgs | شارژ منبع گیت | - | 2 | - | nC | |
| Qgd | Gate-Drain ("میلر") شارژ | - | 6 | - | nC | |
| td (روشن) | زمان تأخیر را روشن کنید | VDS= 10 ولت | - | 8 | - | ns |
| تیر | زمان برخاستن | مند= 1A | - | 11 | - | ns |
| td (خاموش) | زمان تأخیر را خاموش کنید | RG= 3.3Ω | - | 38 | - | ns |
| تیf | زمان سقوط | VGS= 5 ولت | - | 7 | - | ns |
| سیس | ظرفیت ورودی |
VGS= 0 ولت VDS= 10 ولت f = 1.0 مگاهرتز |
- | 1520 | 2430 | pF |
| خز | ظرفیت خروجی | - | 175 | - | pF | |
| Crss | ظرفیت انتقال معکوس | - | 155 | - | pF | |
| Rg | مقاومت در برابر دروازه | f = 1.0 مگاهرتز | - | 1.2 | 2.4 | Ω |
منبع - دیود تخلیه
| نماد | پارامتر | شرایط آزمون | حداقل | نوع | حداکثر | واحدها |
| VSD | به جلو در ولتاژ2 | منS= 1.2A ، VGS= 0 ولت | - | - | 1.2 | V |
| trr | زمان بازیابی معکوس |
منS= 6A ، VGS= 0 ولت ، dI / dt = 100A / μs |
- | 16 | - | ns |
| Qrr | شارژ بازیابی معکوس | - | 8 | - | nC |
سالات متداول
1. شرکت ما در فروش و تولید خوب است؟
1B. ما بیش از 14 سال تجربه در زمینه نمایندگی قطعات الکترونیکی و فروش داریم.
و ما تیم تحقیق و توسعه و کارخانه SMT خود را روی محصولات PCBA داریم
2. نقاط قوت ما چیست؟
2Bما به بسیاری از مارک های بزرگ در چین خدمات ارائه می دهیم.
برای قطعات الکترونیکی: خط تولید ما با مارک های مختلف و مارک های مختلف پر شده است ، شما همیشه می توانید یکی را مطابق با نیاز خود پیدا کنید.
برای PCBA: ما تیم تحقیق و توسعه و کارخانه SMT خود را داریم ، که نصب شده است.زمان سرب و کیفیت تحت کنترل است.
3. اگر موارد زیادی در لیست BOM داشته باشیم ، چقدر طول می کشد که قیمت را دریافت کنم؟
3B. همه قیمت ها در عرض 2 روز کاری ارائه می شود
4. در مورد کیفیت محصولات خود چطور؟ ضمانت محصول شما چه مدت است؟ (محصولات مختلف)
4B. ما قول می دهیم همه محصولات 100٪ خوب است.
5. زمان تحویل شما چیست؟ (نقطه ای / سفارشی)
هفته 5B.1
تماس با شخص: David
