درخواست نقل قول |
خانه محصولاتترانزیستور اثر افکت زمینه

HXY2308 N Channel Mos Field Effect Transistor SOT-23 پلاستیک محصور شده است

همه محصولات

ترانزیستور برق Mosfet

(118)

نکته اصلی ترانزیستورها

(30)

ترانزیستور برق سیلیکون

(19)

دیود سوئیچینگ دوگانه

(15)

ترانزیستور اثر افکت زمینه

(29)

دو کانال مسفت

(10)

دیود یکسو کننده سریع بازیابی

(6)

دیود قدرت Zener

(6)

یکسو کننده پل Schottky Bridge

(10)

دیود یکسو کننده ولتاژ بالا

(15)

تریود نیمه هادی

(9)

ولتاژ استابلایزر ولتاژ

(14)
گواهی
چین Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd گواهینامه ها
چین Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd گواهینامه ها
نظرات مشتریان
ما همکاری با هوآ خوان خوان یانگ تا حد زیادی به دلیل حرفه ای بودن آنها ، پاسخ جدی آنها به شخصی سازی محصولات مورد نیاز ، حل و فصل همه نیازهای ما و مهمتر از همه ارائه خدمات با کیفیت است.

—— —— جیسون از کانادا

به توصیه دوست من ، ما در مورد Hua Xuan Yang ، کارشناس ارشد صنعت نیمه هادی و قطعات الکترونیکی می دانیم ، که به ما این امکان را داده است تا وقت گرانبهای خود را کاهش دهیم و لازم نیست کارخانه های دیگری را امتحان کنیم.

—— —— ویکتور از روسیه

چت IM آنلاین در حال حاضر

HXY2308 N Channel Mos Field Effect Transistor SOT-23 پلاستیک محصور شده است

HXY2308 N Channel Mos Field Effect Transistor SOT-23 پلاستیک محصور شده است
HXY2308 N Channel Mos Field Effect Transistor SOT-23 پلاستیک محصور شده است

تصویر بزرگ :  HXY2308 N Channel Mos Field Effect Transistor SOT-23 پلاستیک محصور شده است

جزئیات محصول:
محل منبع: شنژن چین
نام تجاری: Hua Xuan Yang
گواهی: RoHS、SGS
شماره مدل: HXY2308
پرداخت:
مقدار حداقل تعداد سفارش: 1000-2000 رایانه شخصی
قیمت: Negotiated
جزئیات بسته بندی: جعبه
زمان تحویل: 1 - 2 هفته
شرایط پرداخت: L / CT / T Western Union
قابلیت ارائه: 18،000،000PCS / در هر روز
مخاطب

HXY2308 N Channel Mos Field Effect Transistor SOT-23 پلاستیک محصور شده است

شرح
نام محصول: ترانزیستور برق Mosfet RDS (روشن): 136mΩ
ویژگی: بسته نصب سطح شماره مدل: HXY2308
کاربرد: سوئیچ باتری تایپ کنید: ترانزیستور mosfet
برجسته:

ترانزیستور جریان بالا

,

سوئیچ مففت منطقی

SOT-23 MOSFETS HXY2308 N-Channel MOSFET-Encapsulate MOSFETS HXY2308

خلاصه ای درباره محصول

VDSS = V ID = 3.0 A 60

RDS (روشن) 120mΩ @ 10 V <VGS =
RDS (روشن) <136mΩ @ VGS = 4.5V

ویژگی
power قدرت بالا و قابلیت انتقال فعلی
product محصول بدون سرب به دست می آید
package بسته نصب سطح

برنامه های کاربردی

Switch سوئیچ باتری

 مبدل DC / DC

حداکثر رتبه بندی (Ta = 25 ℃ مگر اینکه در موارد دیگری ذکر شده باشد)

برچسب:

سوئیچ mosfet منطقی,

درایور mosfet با استفاده از ترانزیستور,ترانزیستور جریان بالا,

سوئیچ مففت منطقی

اطلاعات تماس
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

تماس با شخص: David

ارسال درخواست خود را به طور مستقیم به ما (0 / 3000)

در باره

ترانزیستور برق Mosfet

ترانزیستور سطح منطق HXY4616 ، ترانزیستور ولتاژ بالا 30V مکمل MOSFET

ترانزیستور قدرت XXY4616 Mosfet ± 20v VGS ولتاژ بالا VDS 40V VGS ± 20v

20G04S 40V Mosfet Power Transistor N + P حالت تقویت کانال MOSFET

پیغام بگذارید

سیاست حفظ حریم خصوصی | چین خوب کیفیت ترانزیستور برق Mosfet تامین کننده. © 2019 - 2022 mosfet-powertransistor.com. All Rights Reserved.

پیام بگذارید

ما به زودی با شما تماس خواهیم گرفت