عملکرد بالا HXY4812 High Mosfet Switch Dual N Type

HXY4812 0V MOSFET D-Nual Channel

توضیحات عمومی

HXY4812 از فناوری پیشرفته سنگر استفاده می کند

RDS (ON) عالی و شارژ گیت کم را ارائه دهید. این

دستگاه برای استفاده به عنوان سوئیچ بار یا در PWM مناسب است

برنامه های کاربردی.

خلاصه ای درباره محصول

مطلق   بیشترین   رتبه بندی   تی   = 25 درجه سانتی گراد   مگر اینکه در موارد دیگری ذکر شده باشد

خصوصیات الکتریکی (T = 25 درجه سانتیگراد مگر اینکه در موارد دیگری ذکر شده باشد)

A. مقدار R _{θ JA} با دستگاه نصب شده در صفحه 1in ² FR-4 با 2oz اندازه گیری می شود. مس ، در یک محیط هوای آرام با T _A = 25 درجه سانتی گراد.

مقدار در هر برنامه داده شده بستگی به طراحی صفحه خاص کاربر دارد.

ب: اتلاف توان P _D بر اساس T _{J (MAX)} = 150 درجه سانتیگراد و با استفاده از مقاومت حرارتی 10 _j اتصال به محیط انجام می شود.

ج. امتیاز تکراری ، عرض پالس محدود به دمای اتصال T _{J (MAX)} = 150 درجه سانتیگراد. رتبه بندی ها بر اساس فرکانس پایین و چرخه وظیفه برای حفظ است

D. R _{J J} : مجموع مقاومت در برابر گرما از محل اتصال به سرب R _{θ JL} و منجر به محیط است.

E. خصوصیات استاتیک در شکل های 1 تا 6 با استفاده از پالس <300μs ، چرخه وظیفه حداکثر 0.5٪ بدست می آید.