|
جزئیات محصول:
|
| شماره مدل:: | AP2322GN | نام تجاری:: | اصلی |
|---|---|---|---|
| دولت:: | اصلی جدید | نوع:: | LOGIC ICS |
| زمان بین شروع و اتمام فرآیند تولید: | در انبار | D / C:: | جدیدترین |
| برجسته: | سوئیچ قدرت 10A MOSFET,سوئیچ تغذیه MOSFET 0.833W,ترانزیستور قدرت AP2322GN MOSFET |
||
این محصول به تخلیه الکترواستاتیک حساس است ، لطفاً با احتیاط کنترل کنید.
این محصول مجاز به استفاده به عنوان یک جز critical مهم در سیستم پشتیبانی از زندگی یا سایر سیستم های مشابه نیست.
APEC مسئولیتی در قبال مسئولیت ناشی از درخواست یا استفاده از هر محصول یا مداری که در این توافقنامه شرح داده شده است ، نخواهد داشت و همچنین مجوز تحت حق ثبت اختراع خود را اختصاص نمی دهد یا حقوق دیگران را به خود اختصاص نمی دهد.
APEC این حق را برای خود محفوظ می دارد که برای بهبود قابلیت اطمینان ، عملکرد یا طراحی ، در این توافق نامه بدون تغییر تغییراتی در هر محصول ایجاد کند.
شرح
Advanced Power MOSFET برای دستیابی به کمترین دستگاه ممکن در برابر مقاومت ، بسیار کارآمد و مقرون به صرفه ، از تکنیک های پردازش پیشرفته استفاده کرده است.
بسته SOT-23S به طور گسترده ای برای برنامه های نصب سطح تجاری و صنعتی ترجیح داده می شود و برای برنامه های ولتاژ پایین مانند مبدل های DC / DC مناسب است.
حداکثر امتیازات مطلق @ Tج= 25ایC (مگر اینکه خلاف آن مشخص شده باشد)
| نماد | پارامتر | رتبه بندی | واحدها |
| VDS | ولتاژ منبع تخلیه | 20 | V |
| VGS | ولتاژ منبع گیت | +8 | V |
| مندTآ= 25 ℃ | تخلیه جریان3، VGS @ 4.5 ولت | 2.5 | آ |
| مندTآ= 70 | تخلیه جریان3، VGS @ 4.5 ولت | 2.0 | آ |
| IDM | جریان تخلیه پالسی1 | 10 | آ |
| پدTآ= 25 ℃ | اتلاف کل برق | 0.833 | دبلیو |
| TSTG | محدوده دما | -55 تا 150 | ℃ |
| تیج | محدوده دمای محل اتصال | -55 تا 150 | ℃ |
داده های حرارتی
| نماد | پارامتر | ارزش | واحد |
| Rthj-a | حداکثر مقاومت حرارتی ، محل اتصال3 | 150 | ℃ / W |
AP2322G
مشخصات الکتریکی @ Tج= 25ایC (مگر اینکه خلاف آن مشخص شده باشد)
| نماد | پارامتر | شرایط آزمون | حداقل | نوع | حداکثر | واحدها |
| BVDSS | ولتاژ خرابی منبع تخلیه | VGS= 0 ولت ، مند= 250uA | 20 | - | - | V |
| RDS (روشن) | مقاومت در برابر منبع تخلیه استاتیک2 | VGS= 4.5 ولت ، مند= 1.6A | - | - | 90 | mΩ |
| VGS= 2.5 ولت ، مند= 1A | - | - | 120 | mΩ | ||
| VGS= 1.8 ولت ، مند= 0.3A | - | - | 150 | mΩ | ||
| VGS (هفتم) | ولتاژ آستانه گیت | VDS= VGS، مند= 1 میلی آمپر | 0.25 | - | 1 | V |
| gfs | رسانایی به جلو | VDS= 5 ولت ، مند= 2A | - | 2 | - | S |
| IDSS | جریان نشتی منبع تخلیه | VDS= 20 ولت ، ولتاژGS= 0 ولت | - | - | 1 | uA |
| IGSS | نشت منبع گیت | VGS=+8 ولت ، ولتاژDS= 0 ولت | - | - | +100 | nA |
| سg | شارژ کل گیت |
مند= 2.2A VDS= 16 ولتGS= 4.5 ولت |
- | 7 | 11 | nC |
| Qgs | شارژ منبع گیت | - | 0.7 | - | nC | |
| Qgd | Gate-Drain ("میلر") شارژ | - | 2.5 | - | nC | |
| td (روشن) | زمان تأخیر را روشن کنید |
VDS= 10 ولت مند= 1A RG= 3.3Ω VGS= 5 ولت |
- | 6 | - | ns |
| تیر | زمان برخاستن | - | 12 | - | ns | |
| td (خاموش) | زمان تأخیر را خاموش کنید | - | 16 | - | ns | |
| تیf | زمان سقوط | - | 4 | - | ns | |
| سیس | ظرفیت ورودی |
V.GS = 0 ولتDS= 20 ولت f = 1.0 مگاهرتز |
- | 350 | 560 | pF |
| خز | ظرفیت خروجی | - | 55 | - | pF | |
| Crss | ظرفیت انتقال معکوس | - | 48 | - | pF | |
| Rg | مقاومت در برابر دروازه | f = 1.0 مگاهرتز | - | 3.2 | 4.8 | Ω |
منبع - دیود تخلیه
| نماد | پارامتر | شرایط آزمون | حداقل | نوع | حداکثر | واحدها |
| VSD | به جلو در ولتاژ2 | منS= 0.7A ، VGS= 0 ولت | - | - | 1.2 | V |
| trr | زمان بازیابی معکوس |
منS= 2A ، VGS= 0 ولت ، dI / dt = 100A / μs |
- | 20 | - | ns |
| Qrr | شارژ بازیابی معکوس | - | 13 | - | nC |
یادداشت:
1. عرض پالس توسط حداکثر محدود شده است.دمای محل اتصال
2. تست نبض
3. سطح نصب شده در 1 در2 پد مسی تخته FR4 ، t <10 ثانیه360 ℃ / W هنگام نصب روی حداقل.پد مسی
تماس با شخص: David
