خانه محصولاتترانزیستور برق Mosfet

ترانزیستور / 15A 100V اثر منطق سوئیچ Mosfet AP15N10S Mos Field

گواهی
چین Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd گواهینامه ها
چین Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd گواهینامه ها
نظرات مشتریان
ما همکاری با هوآ خوان خوان یانگ تا حد زیادی به دلیل حرفه ای بودن آنها ، پاسخ جدی آنها به شخصی سازی محصولات مورد نیاز ، حل و فصل همه نیازهای ما و مهمتر از همه ارائه خدمات با کیفیت است.

—— —— جیسون از کانادا

به توصیه دوست من ، ما در مورد Hua Xuan Yang ، کارشناس ارشد صنعت نیمه هادی و قطعات الکترونیکی می دانیم ، که به ما این امکان را داده است تا وقت گرانبهای خود را کاهش دهیم و لازم نیست کارخانه های دیگری را امتحان کنیم.

—— —— ویکتور از روسیه

چت IM آنلاین در حال حاضر

ترانزیستور / 15A 100V اثر منطق سوئیچ Mosfet AP15N10S Mos Field

ترانزیستور / 15A 100V اثر منطق سوئیچ Mosfet AP15N10S Mos Field
ترانزیستور / 15A 100V اثر منطق سوئیچ Mosfet AP15N10S Mos Field ترانزیستور / 15A 100V اثر منطق سوئیچ Mosfet AP15N10S Mos Field ترانزیستور / 15A 100V اثر منطق سوئیچ Mosfet AP15N10S Mos Field

تصویر بزرگ :  ترانزیستور / 15A 100V اثر منطق سوئیچ Mosfet AP15N10S Mos Field

جزئیات محصول:
محل منبع: شنژن چین
نام تجاری: Hua Xuan Yang
گواهی: RoHS、SGS
شماره مدل: AP15N10S
پرداخت:
مقدار حداقل تعداد سفارش: مذاکره
قیمت: Negotiated
جزئیات بسته بندی: جعبه
زمان تحویل: 1 - 2 هفته
شرایط پرداخت: L / CT / T Western Union
قابلیت ارائه: 18،000،000PCS / در هر روز

ترانزیستور / 15A 100V اثر منطق سوئیچ Mosfet AP15N10S Mos Field

شرح
نام محصول: ترانزیستور اثر افکت زمینه مدل: AP15N10S
بسته: SOP-8 نشانه گذاری: AP15N10S XXX YYYY
ولتاژ VDSDrain-Source: 100 ولت ولتاژ VGSGate-Sce rce: 20V پوند
برجسته:

n ترانزیستور کانال mosfet

,

ترانزیستور ولتاژ بالا

ترانزیستور / 15A 100V اثر منطق سوئیچ Mosfet

مقدمه ترانزیستور اثر افکت مید

MOSFET Power معمولاً در کاربردهایی استفاده می شود كه ولتاژها از حدود 200 ولت تجاوز نكنند. ولتاژهای بالاتر به راحتی قابل دستیابی نیستند. در جاهایی که از Power MOSFET استفاده می شود ، مقاومت کم در برابر آنها بسیار جذاب است. این امر باعث کاهش اتلاف انرژی می شود که باعث کاهش هزینه و اندازه کمتر فلز و خنک کننده می شود. همچنین مقاومت در برابر پایین به این معنی است که می توان سطح کارایی را در سطح بالاتر حفظ کرد

ویژگی های ترانزیستور اثر افکت Mos

VDS = 100V ID = 15A
RDS (ON) <120mΩ @ VGS = 10V

Mos Field Effect Transistor Application

VDS = 100V ID = 15A
RDS (ON) <120mΩ @ VGS = 10V

مارک بسته بندی و اطلاعات سفارش

شناسه محصول بسته نشانه گذاری Qty (PCS)
AP15N10S SOP-8 AP15N10S XXX YYYY 3000

حداکثر امتیازات مطلق (TC = 25 ℃ مگر اینکه در موارد دیگری ذکر شده باشد)

نماد پارامتر رتبه بندی واحدها
VDS ولتاژ منبع زهکشی 100 V
VGS ولتاژ گیت-سو rce 20 پوند V
ID @ TA = 25 جریان تخلیه مداوم ، V GS @ 10V 1 15 آ
ID @ TA = 70 جریان تخلیه مداوم ، V GS @ 10V 1 7 آ
IDM پالس Drain Current2 30 آ
آسان است تک انرژی بهمن پالس 3 6.1 mJ
IAS بهمن فعلی 11 آ
PD @ TA = 25 Dissipation3 Total Power 1.5 W
TSTG محدوده دمای ذخیره سازی -55 تا 150
TJ محدوده دمای عملکرد اتصالات -55 تا 150
روتاجا مقاومت حرارتی اتصال-محیط 1 85 ℃ / W
RithJC اتصالات مقاومت حرارتی-مورد 1 36 ℃ / W

خصوصیات الکتریکی (T J = 25، مگر اینکه در موارد دیگری ذکر شده باشد

نماد پارامتر شرایط حداقل نوع حداکثر واحد
BVDSS ولتاژ شکست جریان منبع تخلیه VGS = 0V ، ID = 250uA 100 --- --- V
△ BVDSS / △ TJ ضریب دما BVDSS مراجعه به 25 ℃ ، ID = 1mA --- 0.098 --- V /

RDS (روشن)

مقاومت در برابر منبع زهکشی استاتیک

VGS = 10V ، ID = 2A --- 90 112
VGS = 4.5V ، ID = 1A --- 95 120
VGS (هفتم) ولتاژ آستانه گیت 1.0 1.5 2.5 V
△ VGS (هفتم) ضریب دما VGS (هفتم) --- -4.57 --- mV /

IDSS

جریان نشت منبع زهکشی

VDS = 80V ، VGS = 0V ، TJ = 25 --- --- 10

تو

VDS = 80V ، VGS = 0V ، TJ = 55 --- --- 100
IGSS جریان نشت منبع دروازه VGS = 20V، ، VDS = 0V --- --- 100 پوند NA
gfs Transconductance رو به جلو VDS = 5V ، ID = 2A --- 12 --- س
Rg مقاومت دروازه VDS = 0V ، VGS = 0V ، f = 1MHz --- 2 4
Qg شارژ کامل دروازه (10 ولت) --- 19.5 ---
Qgs شارژ منبع دروازه --- 3.2 ---
Qgd شارژ دروازه-تخلیه --- 3.6 ---
Td (روشن) زمان تأخیر روشن

VDD = 50 ولت ، VGS = 10 ولت ،

--- 16.2 ---
TR زمان برخاستن --- 3 ---
Td (خاموش) زمان تأخیر خاموش --- 44 ---
Tf زمان سقوط --- 2.6 ---
سیس ظرفیت ورودی --- 1535 ---
گاو ظرفیت خروجی --- 60 ---
کرز ظرفیت انتقال معکوس --- 37.4 ---
است منبع جریان مداوم 1،5

VG = VD = 0V ، نیروی فعلی

--- --- 4 آ
ISM منبع پالس جریان فعلی 2،5 --- --- 8 آ
VSD دیود به جلو Voltage2 VGS = 0V ، IS = 1A ، TJ = 25 --- --- 1.2 V
نماد پارامتر شرایط حداقل نوع حداکثر واحد
BVDSS ولتاژ شکست جریان منبع تخلیه VGS = 0V ، ID = 250uA 100 --- --- V
△ BVDSS / △ TJ ضریب دما BVDSS مراجعه به 25 ℃ ، ID = 1mA --- 0.098 --- V /

RDS (روشن)

مقاومت در برابر منبع زهکشی استاتیک

VGS = 10V ، ID = 2A --- 90 112
VGS = 4.5V ، ID = 1A --- 95 120
VGS (هفتم) ولتاژ آستانه گیت 1.0 1.5 2.5 V
△ VGS (هفتم) ضریب دما VGS (هفتم) --- -4.57 --- mV /

IDSS

جریان نشت منبع زهکشی

VDS = 80V ، VGS = 0V ، TJ = 25 --- --- 10

تو

VDS = 80V ، VGS = 0V ، TJ = 55 --- --- 100
IGSS جریان نشت منبع دروازه VGS = 20V، ، VDS = 0V --- --- 100 پوند NA
gfs Transconductance رو به جلو VDS = 5V ، ID = 2A --- 12 --- س
Rg مقاومت دروازه VDS = 0V ، VGS = 0V ، f = 1MHz --- 2 4
Qg شارژ کامل دروازه (10 ولت) --- 19.5 ---
Qgs شارژ منبع دروازه --- 3.2 ---
Qgd شارژ دروازه-تخلیه --- 3.6 ---
Td (روشن) زمان تأخیر روشن

VDD = 50 ولت ، VGS = 10 ولت ،

--- 16.2 ---
TR زمان برخاستن --- 3 ---
Td (خاموش) زمان تأخیر خاموش --- 44 ---
Tf زمان سقوط --- 2.6 ---
سیس ظرفیت ورودی --- 1535 ---
گاو ظرفیت خروجی --- 60 ---
کرز ظرفیت انتقال معکوس --- 37.4 ---
است منبع جریان مداوم 1،5

VG = VD = 0V ، نیروی فعلی

--- --- 4 آ
ISM منبع پالس جریان فعلی 2،5 --- --- 8 آ
VSD دیود به جلو Voltage2 VGS = 0V ، IS = 1A ، TJ = 25 --- --- 1.2 V

توجه داشته باشید :

1. داده های آزمایش شده توسط سطح نصب شده بر روی صفحه 1 اینچ 2 FR-4 با مس 2OZ.

2. داده های آزمایش شده توسط پالس ، پالس عرض 300، ، چرخه وظیفه 2 ≦

داده های EAS حداکثر را نشان می دهد. رتبه بندی شرط آزمایش VDD = 25V ، VGS = 10V ، L = 0.1mH ، IAS = 11A است

اتلاف برق توسط دمای اتصال 175 limited محدود شده است

5- داده ها از نظر تئوریک همان شناسه و IDM هستند ، در برنامه های واقعی باید با اتلاف کل قدرت محدود شوند

توجه

1 ، هر و همه محصولات میکروالکترونیکی APM که در اینجا شرح داده شده و یا حاوی آنها می باشد ، مشخصات لازم را ندارند که می توانند برنامه هایی را که به سطح بسیار بالایی از قابلیت اطمینان نیاز دارند ، مانند سیستم های پشتیبانی از زندگی ، سیستم های کنترل هواپیما یا سایر برنامه های کاربردی که عملکرد آنها از حد معقول انتظار می رود ، انجام دهند. آسیب جدی جسمی و / یا مادی. قبل از استفاده از هرگونه محصولات میکروالکترونیکی APM که در این گونه برنامه ها شرح داده شده یا در این قسمت وجود دارد ، با نزدیکترین نماینده Microelectronic APM خود مشورت کنید.

2 ، APM Microelectronic هیچ مسئولیتی در مورد خرابی تجهیزات ناشی از استفاده از محصولات در مقادیری که بیش از حد ، حتی لحظه ای از مقادیر دارای امتیاز (مانند حداکثر رتبه بندی ، دامنه شرایط کار یا سایر پارامترها) نیست ، در نظر گرفته شده در مشخصات محصولات مربوط به همه محصولات میکروالکترونیکی APM است. شرح داده شده یا موجود در اینجا

3 ، مشخصات مربوط به محصولات Microelectronic APM شرح داده شده یا موجود در آن ، عملکرد ، خصوصیات و عملکرد محصولات توصیف شده را در حالت مستقل القا می کند و ضمانت عملکرد ، خصوصیات و عملکرد محصولات توصیف شده در داخل را نشان نمی دهد. محصولات یا تجهیزات مشتری. برای تأیید علائم و حالاتی که در دستگاه مستقل قابل ارزیابی نیستند ، مشتری همیشه باید دستگاههای نصب شده در محصولات یا تجهیزات مشتری را ارزیابی و آزمایش کند.

4، شرکت نیمه هادی APM میکروالکترونیک ، LTD. تلاش می کند محصولات با کیفیت بالا و با کیفیت بالا را تهیه کند. با این حال ، همه و تمام محصولات نیمه هادی با احتمال کمی شکست می خورند. این احتمال وجود دارد که این شکستهای احتمالی می تواند حوادث یا حوادثی را به وجود آورد که می تواند جان انسان را به خطر اندازد که می تواند باعث دود یا آتش سوزی شود ، یا ممکن است باعث خسارت به سایر اموال شود. تجهیزات طراحی سایت ، اقدامات ایمنی را اتخاذ کنید تا این نوع حوادث یا حوادث رخ ندهد. چنین اقدامات شامل ، اما محدود به مدارهای محافظ و مدارهای پیشگیری از خطا برای طراحی ایمن ، طراحی اضافی و طراحی سازه نیست.

5 ، در صورتی که هر یک از محصولات میکروالکترونیکی APM (از جمله داده های فنی ، خدمات) که شرح داده شده و یا در آنها وجود دارد ، تحت هر یک از قوانین و مقررات مربوط به کنترل صادرات محلی کنترل می شوند ، چنین کالاهایی بدون اخذ مجوز صادراتی از مراجع قانونی نباید صادر شوند. مطابق قانون فوق.

6 ، هیچ بخشی از این نشریه نمی تواند به هر شکلی و یا به هر وسیله ، الکترونیکی یا مکانیکی ، از جمله فتوکپی و ضبط ، یا هر سیستم ذخیره اطلاعات یا بازیابی اطلاعات ، تولید شود یا منتقل شود ، و یا در غیر این صورت ، بدون اجازه کتبی قبلی APM Microelectronic نیمه هادی CO . ، LTD.

7 ، اطلاعات (شامل نمودار مدار و پارامترهای مدار) در اینجا فقط به عنوان مثال است. برای تولید حجم تضمین نمی شود. میکروالكترونیك APM معتقد است كه اطلاعات در اینجا دقیق و قابل اعتماد است ، اما هیچ گونه تضمینی در مورد استفاده از آن یا هرگونه تخلف از حقوق مالکیت معنوی یا سایر حقوق شخص ثالث ارائه نشده یا دلالت دارد.

8 ، هر و تمام اطلاعات توصیف شده یا موجود در اینجا به دلیل بهبود محصول / فناوری و غیره در معرض تغییر هستند. هنگام طراحی تجهیزات ، برای محصول میکروالکترونیک APM که قصد استفاده از آن را دارید ، به "مشخصات تحویل" مراجعه کنید.

اطلاعات تماس
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

تماس با شخص: David

ارسال درخواست خود را به طور مستقیم به ما (0 / 3000)

پیام بگذارید

ما به زودی با شما تماس خواهیم گرفت