خانه محصولاتترانزیستور برق Mosfet

ترانزیستور قدرت تولید شده Mosfet کم مقاومت در برابر مقاومت AP15N10D

گواهی
چین Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd گواهینامه ها
چین Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd گواهینامه ها
نظرات مشتریان
ما همکاری با هوآ خوان خوان یانگ تا حد زیادی به دلیل حرفه ای بودن آنها ، پاسخ جدی آنها به شخصی سازی محصولات مورد نیاز ، حل و فصل همه نیازهای ما و مهمتر از همه ارائه خدمات با کیفیت است.

—— —— جیسون از کانادا

به توصیه دوست من ، ما در مورد Hua Xuan Yang ، کارشناس ارشد صنعت نیمه هادی و قطعات الکترونیکی می دانیم ، که به ما این امکان را داده است تا وقت گرانبهای خود را کاهش دهیم و لازم نیست کارخانه های دیگری را امتحان کنیم.

—— —— ویکتور از روسیه

چت IM آنلاین در حال حاضر

ترانزیستور قدرت تولید شده Mosfet کم مقاومت در برابر مقاومت AP15N10D

ترانزیستور قدرت تولید شده Mosfet کم مقاومت در برابر مقاومت AP15N10D
ترانزیستور قدرت تولید شده Mosfet کم مقاومت در برابر مقاومت AP15N10D ترانزیستور قدرت تولید شده Mosfet کم مقاومت در برابر مقاومت AP15N10D ترانزیستور قدرت تولید شده Mosfet کم مقاومت در برابر مقاومت AP15N10D

تصویر بزرگ :  ترانزیستور قدرت تولید شده Mosfet کم مقاومت در برابر مقاومت AP15N10D

جزئیات محصول:
محل منبع: شنژن چین
نام تجاری: Hua Xuan Yang
گواهی: RoHS、SGS
شماره مدل: AP15N10D
پرداخت:
مقدار حداقل تعداد سفارش: مذاکره
قیمت: Negotiated
جزئیات بسته بندی: جعبه
زمان تحویل: 1 - 2 هفته
شرایط پرداخت: L / CT / T Western Union
قابلیت ارائه: 18،000،000PCS / در هر روز

ترانزیستور قدرت تولید شده Mosfet کم مقاومت در برابر مقاومت AP15N10D

شرح
نام محصول: ترانزیستور برق Mosfet مدل: AP15N10D
بسته: TO-252 نشانه گذاری: AP15N10D XXX YYYY
ولتاژ VDSDrain-Source: 100 ولت ولتاژ VGSGate-Sce rce: 20V پوند
برجسته:

n ترانزیستور کانال mosfet

,

ترانزیستور ولتاژ بالا

ترانزیستور قدرت ساخته شده Mosfet قدرت کم مقاومت در برابر AP15N10D

برنامه های ترانزیستور برق Mosfet

فناوری MOSEFET Power برای انواع مختلف مدار کاربرد دارد. برنامه ها شامل:

  • منبع تغذیه خطی
  • تعویض منبع تغذیه
  • مبدل های DC-DC
  • کنترل موتور ولتاژ کم

ترانزیستور برق Mosfet توضیحات:

AP15N10D از فناوری پیشرفته سنگر استفاده می کند
و طراحی برای ارائه RDS عالی (ON) با جمع کم
اتهام می توان از آن در طیف گسترده ای از برنامه ها استفاده کرد.
اعتراض ESD است.

ویژگی های ترانزیستور برق Mosfet

VDS = 100V ، ID = 15A
RDS (ON) <112mΩ @ VGS = 10V

مارک بسته بندی و اطلاعات سفارش

شناسه محصول بسته نشانه گذاری Qty (PCS)
AP15N10D TO-252 AP15N10D XXX YYYY 2500

حداکثر رتبه بندی مطلق (T C = 25مگر اینکه در موارد دیگری ذکر شده باشد)

نماد پارامتر رتبه بندی واحدها
V DS ولتاژ منبع زهکشی 100 V
V GS ولتاژ گیت-سو rce 20 پوند V
ID @ TC = 25 جریان تخلیه مداوم ، V GS @ 10V 1 15 آ
شناسه @ TC = 100 جریان تخلیه مداوم ، V GS @ 10V 1 7.7 آ
ID @ TA = 25 جریان تخلیه مداوم ، V GS @ 10V 1 3 آ
ID @ TA = 70 جریان تخلیه مداوم ، V GS @ 10V 1 2.4 آ
IDM زهکشی پالس جریان 2 24 آ
آسان است تک انرژی بهمن پالس 3 6.1 mJ
IAS بهمن فعلی 11 آ
PD @ TC = 25 کل توزیع برق 3 34.7 W
PD @ TA = 25 کل توزیع برق 3 2 W
TSTG محدوده دمای ذخیره سازی -55 تا 150
TJ محدوده دمای عملکرد اتصالات -55 تا 150
روتاجا مقاومت حرارتی اتصال-محیط 1 62 ℃ / W
RithJC اتصالات مقاومت حرارتی-مورد 1 3.6 ℃ / W

خصوصیات الکتریکی (T J = 25 ، مگر اینکه در موارد دیگری ذکر شده باشد)

نماد پارامتر شرایط حداقل نوع حداکثر واحد
BV DSS ولتاژ شکست جریان منبع تخلیه V GS = 0V ، ID = 250uA 100 --- --- V
BV DSS / △ TJ ضریب دما BVDSS مراجعه به 25 ℃ ، ID = 1mA --- 0.098 --- V /
RDS (روشن) منبع مقاومت در برابر زهکشی استاتیک 2 V GS = 10V ، ID = 10A --- 93 112
V GS = 4.5V ، ID = 8A --- 97 120
V GS (هفتم) ولتاژ آستانه گیت 1.0 --- 2.5 V
△ VGS (هفتم) ضریب دما V GS (هفتم) --- -4.57 --- mV /
IDSS جریان نشت منبع زهکشی V DS = 80V ، V GS = 0V ، TJ = 25 --- --- 1 تو
V DS = 80V ، V GS = 0V ، TJ = 55 --- --- 5
IGSS جریان نشت منبع دروازه V GS = V 20V ، V DS = 0V --- --- 100 پوند NA
gfs Transconductance رو به جلو V DS = 5V ، ID = 10A --- 13 --- س
Rg مقاومت دروازه V DS = 0V ، V GS = 0V ، f = 1MHz --- 2 --- اوه
Qg شارژ کامل دروازه (10 ولت) --- 26.2 ---
Qgs شارژ منبع دروازه --- 4.6 ---
Qgd شارژ دروازه-تخلیه --- 5.1 ---
Td (روشن) زمان تأخیر روشن

V DD = 50V ، V GS = 10V ،

RG = 3.3

شناسه = 10A

--- 4.2 ---

ns

TR
Td (خاموش) زمان تأخیر خاموش --- 35.6 ---
Tf زمان سقوط --- 9.6 ---
سیس ظرفیت ورودی --- 1535 ---
گاو ظرفیت خروجی --- 60 ---
کرز ظرفیت انتقال معکوس --- 37 ---
است منبع جریان مداوم 1،5 VG = VD = 0V ، نیروی فعلی --- --- 12 آ
ISM منبع پالس جریان فعلی 2،5 --- --- 24 آ
V SD دیود به جلو ولتاژ 2 V GS = 0V ، IS = 1A ، TJ = 25 --- --- 1.2 V
TRR زمان بازیابی معکوس اگر = 10A ، dI / dt = 100A / µs ، --- 37 --- nS
Qrr هزینه بازیابی معکوس --- 27.3 --- nC
نماد پارامتر شرایط حداقل نوع حداکثر واحد
BV DSS ولتاژ شکست جریان منبع تخلیه V GS = 0V ، ID = 250uA 100 --- --- V
BV DSS / △ TJ ضریب دما BVDSS مراجعه به 25 ℃ ، ID = 1mA --- 0.098 --- V /
RDS (روشن) منبع مقاومت در برابر زهکشی استاتیک 2 V GS = 10V ، ID = 10A --- 93 112
V GS = 4.5V ، ID = 8A --- 97 120
V GS (هفتم) ولتاژ آستانه گیت 1.0 --- 2.5 V
△ VGS (هفتم) ضریب دما V GS (هفتم) --- -4.57 --- mV /
IDSS جریان نشت منبع زهکشی V DS = 80V ، V GS = 0V ، TJ = 25 --- --- 1 تو
V DS = 80V ، V GS = 0V ، TJ = 55 --- --- 5
IGSS جریان نشت منبع دروازه V GS = V 20V ، V DS = 0V --- --- 100 پوند NA
gfs Transconductance رو به جلو V DS = 5V ، ID = 10A --- 13 --- س
Rg مقاومت دروازه V DS = 0V ، V GS = 0V ، f = 1MHz --- 2 --- اوه
Qg شارژ کامل دروازه (10 ولت) --- 26.2 ---
Qgs شارژ منبع دروازه --- 4.6 ---
Qgd شارژ دروازه-تخلیه --- 5.1 ---
Td (روشن) زمان تأخیر روشن

V DD = 50V ، V GS = 10V ،

RG = 3.3

شناسه = 10A

--- 4.2 ---

ns

TR
Td (خاموش) زمان تأخیر خاموش --- 35.6 ---
Tf زمان سقوط --- 9.6 ---
سیس ظرفیت ورودی --- 1535 ---
گاو ظرفیت خروجی --- 60 ---
کرز ظرفیت انتقال معکوس --- 37 ---
است منبع جریان مداوم 1،5 VG = VD = 0V ، نیروی فعلی --- --- 12 آ
ISM منبع پالس جریان فعلی 2،5 --- --- 24 آ
V SD دیود به جلو ولتاژ 2 V GS = 0V ، IS = 1A ، TJ = 25 --- --- 1.2 V
TRR زمان بازیابی معکوس اگر = 10A ، dI / dt = 100A / µs ، --- 37 --- nS
Qrr هزینه بازیابی معکوس --- 27.3 --- nC

توجه داشته باشید :

1. داده های آزمایش شده توسط سطح نصب شده بر روی صفحه 1 اینچ FR-4 با مس 2OZ. 2. داده های آزمایش شده توسط پالس ، پالس عرض 300، ، چرخه وظیفه 2 ≦

داده های EAS حداکثر را نشان می دهد. رتبه بندی شرط آزمایش VDD = 25V ، VGS = 10V ، L = 0.1mH ، IAS = 11A است

اتلاف برق توسط دمای اتصال 150 limited محدود شده است

5. داده ها از نظر تئوری مشابه با IDand IDM هستند ، در برنامه های واقعی باید با اتلاف برق کل محدود شوند.

توجه

1 ، هر و همه محصولات میکروالکترونیکی APM که در اینجا شرح داده شده و یا حاوی آنها می باشد ، مشخصات لازم را ندارند که می توانند برنامه هایی را که به سطح بسیار بالایی از قابلیت اطمینان نیاز دارند ، مانند سیستم های پشتیبانی از زندگی ، سیستم های کنترل هواپیما یا سایر برنامه های کاربردی که عملکرد آنها از حد معقول انتظار می رود ، انجام دهند. آسیب جدی جسمی و / یا مادی. قبل از استفاده از هرگونه محصولات میکروالکترونیکی APM که در این گونه برنامه ها شرح داده شده یا در این قسمت وجود دارد ، با نزدیکترین نماینده Microelectronic APM خود مشورت کنید.

2 ، APM Microelectronic هیچ مسئولیتی در مورد خرابی تجهیزات ناشی از استفاده از محصولات در مقادیری که بیش از حد ، حتی لحظه ای از مقادیر دارای امتیاز (مانند حداکثر رتبه بندی ، دامنه شرایط کار یا سایر پارامترها) نیست ، در نظر گرفته شده در مشخصات محصولات مربوط به همه محصولات میکروالکترونیکی APM است. شرح داده شده یا موجود در اینجا

3 ، مشخصات مربوط به محصولات Microelectronic APM شرح داده شده یا موجود در آن ، عملکرد ، خصوصیات و عملکرد محصولات توصیف شده را در حالت مستقل القا می کند و ضمانت عملکرد ، خصوصیات و عملکرد محصولات توصیف شده در داخل را نشان نمی دهد. محصولات یا تجهیزات مشتری. برای تأیید علائم و حالاتی که در دستگاه مستقل قابل ارزیابی نیستند ، مشتری همیشه باید دستگاههای نصب شده در محصولات یا تجهیزات مشتری را ارزیابی و آزمایش کند.

4، شرکت نیمه هادی APM میکروالکترونیک ، LTD. تلاش می کند محصولات با کیفیت بالا و با کیفیت بالا را تهیه کند. با این حال ، همه و تمام محصولات نیمه هادی با احتمال کمی شکست می خورند. این احتمال وجود دارد که این شکستهای احتمالی می تواند حوادث یا حوادثی را به وجود آورد که می تواند جان انسان را به خطر اندازد که می تواند باعث دود یا آتش سوزی شود ، یا ممکن است باعث خسارت به سایر اموال شود. تجهیزات طراحی سایت ، اقدامات ایمنی را اتخاذ کنید تا این نوع حوادث یا حوادث رخ ندهد. چنین اقدامات شامل ، اما محدود به مدارهای محافظ و مدارهای پیشگیری از خطا برای طراحی ایمن ، طراحی اضافی و طراحی سازه نیست.

5 ، در صورتی که هر یک از محصولات میکروالکترونیکی APM (از جمله داده های فنی ، خدمات) که شرح داده شده و یا در آنها وجود دارد ، تحت هر یک از قوانین و مقررات مربوط به کنترل صادرات محلی کنترل می شوند ، چنین کالاهایی بدون اخذ مجوز صادراتی از مراجع قانونی نباید صادر شوند. مطابق قانون فوق.

6 ، هیچ بخشی از این نشریه نمی تواند به هر شکلی و یا به هر وسیله ، الکترونیکی یا مکانیکی ، از جمله فتوکپی و ضبط ، یا هر سیستم ذخیره اطلاعات یا بازیابی اطلاعات ، تولید شود یا منتقل شود ، و یا در غیر این صورت ، بدون اجازه کتبی قبلی APM Microelectronic نیمه هادی CO . ، LTD.

7 ، اطلاعات (شامل نمودار مدار و پارامترهای مدار) در اینجا فقط به عنوان مثال است. برای تولید حجم تضمین نمی شود. میکروالكترونیك APM معتقد است كه اطلاعات در اینجا دقیق و قابل اعتماد است ، اما هیچ گونه تضمینی در مورد استفاده از آن یا هرگونه تخلف از حقوق مالکیت معنوی یا سایر حقوق شخص ثالث ارائه نشده یا دلالت دارد.

8 ، هر و تمام اطلاعات توصیف شده یا موجود در اینجا به دلیل بهبود محصول / فناوری و غیره در معرض تغییر هستند. هنگام طراحی تجهیزات ، برای محصول میکروالکترونیک APM که قصد استفاده از آن را دارید ، به "مشخصات تحویل" مراجعه کنید.

اطلاعات تماس
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

تماس با شخص: David

ارسال درخواست خود را به طور مستقیم به ما (0 / 3000)

پیام بگذارید

ما به زودی با شما تماس خواهیم گرفت