|
جزئیات محصول:
|
| نام محصول: | ترانزیستور برق Mosfet | مدل: | AP10N10DY |
|---|---|---|---|
| پک: | TO-252-3 | نشانه گذاری: | AP10N10D XXX YYYY |
| ولتاژ VDSDrain-Source: | 100 ولت | ولتاژ VGSGate-Sce rce: | 20A پوند |
| برجسته: | n ترانزیستور کانال mosfet,ترانزیستور ولتاژ بالا |
||
ترانزیستور برق 10A 100V Mosfet AP10N10DY برای تعویض منابع انرژی
ترانزیستور برق Mosfet توضیحات:
AP10N10D / Y از فناوری پیشرفته سنگر استفاده می کند و
طراحی برای ارائه RDS عالی (ON) با شارژ کم دروازه.
می توان از آن در طیف گسترده ای از برنامه ها استفاده کرد.
ویژگی های ترانزیستور برق Mosfet
VDS = 100V ، ID = 10A
RDS (روشن) <160mΩ @ VGS = 10 ولت (نوع: 140mΩ)
RDS (ON) <170mΩ @ VGS = 4.5V (نوع: 160mΩ)
طراحی سلول با چگالی بالا برای Rdson فوق العاده کم
ولتاژ و جریان بهمن کاملاً مشخص شده است
بسته عالی برای اتلاف گرما خوب
برنامه ترانزیستور برق Mosfet
برنامه سوئیچینگ برق
مدارهای روشن و فرکانس بالا
منبع تغذیه اضطراری
مارک بسته بندی و اطلاعات سفارش
| شناسه محصول | بسته | نشانه گذاری | Qty (PCS) |
| AP10N10D | TO-252-3 | AP10N10D XXX YYYY | 2500 |
| AP10N10Y | TO-251-3 | AP10N10Y XXX YYYY | 4000 |
حداکثر رتبه بندی مطلق (T A = 25 ℃ مگر اینکه در موارد دیگری ذکر شده باشد)
| پارامتر | نماد | حد | واحد |
| ولتاژ منبع زهکشی | VDS | 100 | V |
| ولتاژ منبع گیت | VGS | 20 پوند | V |
| جریان فعلی-مداوم را تخلیه کنید | شناسه | 10 | آ |
| پالس جریان را تخلیه کنید (نکته 1) | IDM | 20 | آ |
| حداکثر ضریب قدرت | PD | 40 | W |
| محل اتصال و محدوده دمای ذخیره سازی | TJ ، TSTG | -55 تا 175 | ℃ |
| مقاومت حرارتی ، محل اتصال به مورد (تبصره 2) | RithJC | 3.75 | ℃ / W |
خصوصیات برقی (T A = 25 ℃ مگر اینکه در موارد دیگری ذکر شده باشد)
| پارامتر | نماد | وضعیت | حداقل | نوع | حداکثر | واحد |
| ولتاژ شکست جریان منبع تخلیه | BVDSS | VGS = 0V ID = 250μA | 100 | - | - | V |
| جریان تخلیه ولتاژ صفر Zate Gate | IDSS | VDS = 100V ، VGS = 0V | - | - | 1 | μA |
| جریان نشت بدنه گیت | IGSS | VGS = 12V، ، VDS = 0V | - | - | 100 پوند | NA |
| ولتاژ آستانه گیت | VGS (هفتم) | VDS = VGS ، ID = 250 μA | 1.0 | 2.5 | V | |
مقاومت در مقابل منبع زهکشی | RDS (روشن) | VGS = 10V ، ID = 3A | - | 140 | 160 | mΩ |
| VGS = 4.5V ، ID = 3A | - | 160 | 170 | |||
| Transconductance رو به جلو | gFS | VDS = 5V ، ID = 3A | - | 5 | - | س |
| ظرفیت ورودی | Clss | VDS = 50 ولت ، VGS = 0 ولت ، F = 1.0MHz | - | 650 | - | PF |
| ظرفیت خروجی | گاو | - | 25 | - | PF | |
| ظرفیت انتقال معکوس | کرز | - | 20 | - | PF | |
| زمان تأخیر روشن کردن | td (روشن) | - | 6 | - | nS | |
| زمان ظهور روشن | r تی | - | 4 | - | nS | |
| زمان تأخیر خاموش | td (خاموش) | - | 20 | - | nS | |
| خاموش شدن زمان سقوط | f تی | - | 4 | - | nS | |
| شارژ کل دروازه | Qg | VDS = 50 ولت ، ID = 3A ، | - | 20.6 | nC | |
| شارژ منبع دروازه | Qgs | - | 2.1 | - | nC | |
| شارژ دروازه-تخلیه | Qgd | - | 3.3 | - | nC | |
| ولتاژ به جلو دیود (توجه 3) | VSD | VGS = 0V ، IS = 3A | - | - | 1.2 | V |
| جریان دیود به جلو (توجه 2) | س من | - | - | 7 | آ |
| پارامتر | نماد | وضعیت | حداقل | نوع | حداکثر | واحد |
| ولتاژ شکست جریان منبع تخلیه | BVDSS | VGS = 0V ID = 250μA | 100 | - | - | V |
| جریان تخلیه ولتاژ صفر Zate Gate | IDSS | VDS = 100V ، VGS = 0V | - | - | 1 | μA |
| جریان نشت بدنه گیت | IGSS | VGS = 12V، ، VDS = 0V | - | - | 100 پوند | NA |
| ولتاژ آستانه گیت | VGS (هفتم) | VDS = VGS ، ID = 250 μA | 1.0 | 2.5 | V | |
مقاومت در مقابل منبع زهکشی | RDS (روشن) | VGS = 10V ، ID = 3A | - | 140 | 160 | mΩ |
| VGS = 4.5V ، ID = 3A | - | 160 | 170 | |||
| Transconductance رو به جلو | gFS | VDS = 5V ، ID = 3A | - | 5 | - | س |
| ظرفیت ورودی | Clss | VDS = 50 ولت ، VGS = 0 ولت ، F = 1.0MHz | - | 650 | - | PF |
| ظرفیت خروجی | گاو | - | 25 | - | PF | |
| ظرفیت انتقال معکوس | کرز | - | 20 | - | PF | |
| زمان تأخیر روشن کردن | td (روشن) | VDD = 50 ولت ، RL = 19Ω VGS = 10 ولت ، RG = 3Ω | - | 6 | - | nS |
| زمان ظهور روشن | r تی | - | 4 | - | nS | |
| زمان تأخیر خاموش | td (خاموش) | - | 20 | - | nS | |
| خاموش شدن زمان سقوط | f تی | - | 4 | - | nS | |
| شارژ کل دروازه | Qg | VDS = 50 ولت ، ID = 3A ، | - | 20.6 | nC | |
| شارژ منبع دروازه | Qgs | - | 2.1 | - | nC | |
| شارژ دروازه-تخلیه | Qgd | - | 3.3 | - | nC | |
| ولتاژ به جلو دیود (توجه 3) | VSD | VGS = 0V ، IS = 3A VGS = 10V | - | - | 1.2 | V |
| جریان دیود به جلو (توجه 2) | س من | - | - | 7 | آ |
یادداشت:
1. رتبه تکراری: عرض پالس محدود به حداکثر درجه حرارت اتصال.
2. سطح سوار شده بر روی صفحه FR4 ، 10 ثانیه.
3. آزمون پالس: عرض پالس μ 300μs ، چرخه وظیفه ≤ 2.
4- تضمین شده توسط طراحی ، مشمول تولید نمی باشد
توجه
1 ، هر و همه محصولات میکروالکترونیکی APM که در اینجا شرح داده شده و یا حاوی آنها می باشد ، مشخصات لازم را ندارند که می توانند برنامه هایی را که به سطح بسیار بالایی از قابلیت اطمینان نیاز دارند ، مانند سیستم های پشتیبانی از زندگی ، سیستم های کنترل هواپیما یا سایر برنامه های کاربردی که عملکرد آنها از حد معقول انتظار می رود ، انجام دهند. آسیب جدی جسمی و / یا مادی. قبل از استفاده از هرگونه محصولات میکروالکترونیکی APM که در این گونه برنامه ها شرح داده شده یا در این قسمت وجود دارد ، با نزدیکترین نماینده Microelectronic APM خود مشورت کنید.
2 ، APM Microelectronic هیچ مسئولیتی در مورد خرابی تجهیزات ناشی از استفاده از محصولات در مقادیری که بیش از حد ، حتی لحظه ای از مقادیر دارای امتیاز (مانند حداکثر رتبه بندی ، دامنه شرایط کار یا سایر پارامترها) نیست ، در نظر گرفته شده در مشخصات محصولات مربوط به همه محصولات میکروالکترونیکی APM است. شرح داده شده یا موجود در اینجا
3 ، مشخصات مربوط به محصولات Microelectronic APM شرح داده شده یا موجود در آن ، عملکرد ، خصوصیات و عملکرد محصولات توصیف شده را در حالت مستقل القا می کند و ضمانت عملکرد ، خصوصیات و عملکرد محصولات توصیف شده در داخل را نشان نمی دهد. محصولات یا تجهیزات مشتری. برای تأیید علائم و حالاتی که در دستگاه مستقل قابل ارزیابی نیستند ، مشتری همیشه باید دستگاههای نصب شده در محصولات یا تجهیزات مشتری را ارزیابی و آزمایش کند.
4، شرکت نیمه هادی APM میکروالکترونیک ، LTD. تلاش می کند محصولات با کیفیت بالا و با کیفیت بالا را تهیه کند. با این حال ، همه و تمام محصولات نیمه هادی با احتمال کمی شکست می خورند. این احتمال وجود دارد که این شکستهای احتمالی می تواند حوادث یا حوادثی را به وجود آورد که می تواند جان انسان را به خطر اندازد که می تواند باعث دود یا آتش سوزی شود ، یا ممکن است باعث خسارت به سایر اموال شود. تجهیزات طراحی سایت ، اقدامات ایمنی را اتخاذ کنید تا این نوع حوادث یا حوادث رخ ندهد. چنین اقدامات شامل ، اما محدود به مدارهای محافظ و مدارهای پیشگیری از خطا برای طراحی ایمن ، طراحی اضافی و طراحی سازه نیست.
5 ، در صورتی که هر یک از محصولات میکروالکترونیکی APM (از جمله داده های فنی ، خدمات) که شرح داده شده و یا در آنها وجود دارد ، تحت هر یک از قوانین و مقررات مربوط به کنترل صادرات محلی کنترل می شوند ، چنین کالاهایی بدون اخذ مجوز صادراتی از مراجع قانونی نباید صادر شوند. مطابق قانون فوق.
6 ، هیچ بخشی از این نشریه نمی تواند به هر شکلی و یا به هر وسیله ، الکترونیکی یا مکانیکی ، از جمله فتوکپی و ضبط ، یا هر سیستم ذخیره اطلاعات یا بازیابی اطلاعات ، تولید شود یا منتقل شود ، و یا در غیر این صورت ، بدون اجازه کتبی قبلی APM Microelectronic نیمه هادی CO . ، LTD.
7 ، اطلاعات (شامل نمودار مدار و پارامترهای مدار) در اینجا فقط به عنوان مثال است. برای تولید حجم تضمین نمی شود. میکروالكترونیك APM معتقد است كه اطلاعات در اینجا دقیق و قابل اعتماد است ، اما هیچ گونه تضمینی در مورد استفاده از آن یا هرگونه تخلف از حقوق مالکیت معنوی یا سایر حقوق شخص ثالث ارائه نشده یا دلالت دارد.
8 ، هر و تمام اطلاعات توصیف شده یا موجود در اینجا به دلیل بهبود محصول / فناوری و غیره در معرض تغییر هستند. هنگام طراحی تجهیزات ، برای محصول میکروالکترونیک APM که قصد استفاده از آن را دارید ، به "مشخصات تحویل" مراجعه کنید.
تماس با شخص: David
