|
جزئیات محصول:
|
| نام محصول: | ترانزیستور ولتاژ بالا Mosfet | مدل: | AP7H03DF |
|---|---|---|---|
| پک: | DFN3 * 3-8L | نشانه گذاری: | AP7H03DF XXX YYYY |
| ولتاژ VDSDrain-Source: | 30 ولت | ولتاژ VGSGate-Sce rce: | 20A پوند |
| برجسته: | n ترانزیستور کانال mosfet,ترانزیستور ولتاژ بالا |
||
ترانزیستور برق Mosfet ولتاژ بالا / AP10H03DF Uhf
ترانزیستور مسفت ولتاژ بالا توضیحات:
AP10H03DF بالاترین سنگر عملکرد است
N-ch MOSFET با چگالی سلول شدید
RDSON و شارژ گیت عالی
برای بیشتر سوئیچینگ قدرت کوچک و
برنامه های سوئیچ بار. دیدار با RoHS و
مورد نیاز محصول با قابلیت اطمینان کامل عملکرد تأیید شده است.
ویژگی های ترانزیستور Mosfet با ولتاژ بالا
VDS = 30V ID = 10A
RDS (ON) <12mΩ @ VGS = 4.5V
RDS (ON) <16.5mΩ @ VGS = 2.5V
مارک بسته بندی و اطلاعات سفارش
| شناسه محصول | بسته | نشانه گذاری | Qty (PCS) |
| AP10H03DF | DFN3 * 3-8L | AP10H03DF XXX YYYY | 5000 |
حداکثر رتبه بندی مطلق (TA = 25 ℃ مگر اینکه در موارد دیگری ذکر شده باشد)
| نماد | پارامتر | رتبه بندی | واحدها |
| VDS | ولتاژ منبع زهکشی | 30 | V |
| VGS | ولتاژ منبع گیت | 20 پوند | V |
| ID @ TC = 25 | جریان تخلیه مداوم ، V GS @ 10V 1 | 10 | آ |
| شناسه @ TC = 100 | جریان تخلیه مداوم ، V GS @ 10V 1 | 8.2 | آ |
| ID @ TA = 25 | جریان تخلیه مداوم ، VGS @ 10V1 | 9.5 | آ |
| ID @ TA = 70 | جریان تخلیه مداوم ، V GS @ 10V 1 | 7.6 | آ |
| IDM | پالس Drain Current2 | 75 | آ |
| آسان است | تک انرژی بهمن پالس 3 | 24.2 | mJ |
| IAS | بهمن فعلی | 22 | آ |
| PD @ TC = 25 | Dissipation4 Total Power | 26 | W |
| PD @ TA = 25 | Dissipation4 Total Power | 1.67 | W |
| TSTG | محدوده دمای ذخیره سازی | -55 تا 150 | ℃ |
| TJ | محدوده دمای عملکرد اتصالات | -55 تا 150 | ℃ |
| روتاجا | مقاومت حرارتی اتصال-محیط 1 | 75 | ℃ / W |
| RithJC | اتصالات مقاومت حرارتی-مورد 1 | 4.8 | ℃ / W |
خصوصیات الکتریکی (T J = 25 ℃ ، مگر اینکه در موارد دیگری ذکر شده باشد)
| نماد | پارامتر | شرایط | حداقل | نوع | حداکثر | واحد |
| BVDSS | ولتاژ شکست جریان منبع تخلیه | VGS = 0V ، ID = 250uA | 30 | --- | --- | V |
| △ BVDSS / TJ | ضریب دما BVDSS | مراجعه به 25 ℃ ، ID = 1mA | --- | 0.023 | --- | V / |
| RDS (روشن) | مقاومت در برابر منبع زهکشی استاتیک | VGS = 10V ، ID = 15A | --- | --- | 12 | mΩ |
| VGS = 4.5V ، ID = 10A | --- | --- | 16.5 | |||
| VGS (هفتم) | ولتاژ آستانه گیت | VGS = VDS ، ID = 250uA | 1.0 | --- | 2.5 | V |
| △ VGS (هفتم) | ضریب دما VGS (هفتم) | --- | -5.08 | --- | mV / | |
IDSS | جریان نشت منبع زهکشی | VDS = 24V ، VGS = 0V ، TJ = 25 | --- | --- | 1 | تو |
| VDS = 24V ، VGS = 0V ، TJ = 55 | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | جریان نشت منبع دروازه | VGS = 20V V ، V DS = 0V | --- | --- | 100 پوند | NA |
| gfs | Transconductance رو به جلو | VDS = 5V ، ID = 15A | --- | 24.4 | --- | س |
| Rg | مقاومت دروازه | VDS = 0V ، VGS = 0V ، f = 1MHz | --- | 1.8 | --- | اوه |
| Qg | شارژ کامل دروازه (4.5 ولت) | --- | 9.82 | --- | ||
| Qgs | شارژ منبع دروازه | --- | 2.24 | --- | ||
| Qgd | شارژ دروازه-تخلیه | --- | 5.54 | --- | ||
| Td (روشن) | زمان تأخیر روشن | --- | 6.4 | --- | ||
| TR | زمان برخاستن | --- | 39 | --- | ||
| Td (خاموش) | زمان تأخیر خاموش | --- | 21 | --- | ||
| Tf | زمان سقوط | --- | 4.7 | --- | ||
| سیس | ظرفیت ورودی | --- | 896 | --- | ||
| گاو | ظرفیت خروجی | --- | 126 | --- | ||
| کرز | ظرفیت انتقال معکوس | --- | 108 | --- | ||
| است | منبع جریان مداوم 1،5 | VG = VD = 0V ، نیروی فعلی | --- | --- | 37 | آ |
| ISM | منبع پالس فعلی2.5 | --- | --- | 75 | آ | |
| VSD | دیود به جلو Voltage2 | VGS = 0V ، IS = 1A ، TJ = 25 | --- | --- | 1 | V |
| نماد | پارامتر | شرایط | حداقل | نوع | حداکثر | واحد |
| BVDSS | ولتاژ شکست جریان منبع تخلیه | VGS = 0V ، ID = 250uA | 30 | --- | --- | V |
| △ BVDSS / TJ | ضریب دما BVDSS | مراجعه به 25 ℃ ، ID = 1mA | --- | 0.023 | --- | V / |
| RDS (روشن) | مقاومت در برابر منبع زهکشی استاتیک | VGS = 10V ، ID = 15A | --- | --- | 12 | mΩ |
| VGS = 4.5V ، ID = 10A | --- | --- | 16.5 | |||
| VGS (هفتم) | ولتاژ آستانه گیت | VGS = VDS ، ID = 250uA | 1.0 | --- | 2.5 | V |
| △ VGS (هفتم) | ضریب دما VGS (هفتم) | --- | -5.08 | --- | mV / | |
IDSS | جریان نشت منبع زهکشی | VDS = 24V ، VGS = 0V ، TJ = 25 | --- | --- | 1 | تو |
| VDS = 24V ، VGS = 0V ، TJ = 55 | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | جریان نشت منبع دروازه | VGS = 20V V ، V DS = 0V | --- | --- | 100 پوند | NA |
| gfs | Transconductance رو به جلو | VDS = 5V ، ID = 15A | --- | 24.4 | --- | س |
| Rg | مقاومت دروازه | VDS = 0V ، VGS = 0V ، f = 1MHz | --- | 1.8 | --- | اوه |
| Qg | شارژ کامل دروازه (4.5 ولت) | VDS = 15V ، VGS = 4.5V ، ID = 12A | --- | 9.82 | --- | |
| Qgs | شارژ منبع دروازه | --- | 2.24 | --- | ||
| Qgd | شارژ دروازه-تخلیه | --- | 5.54 | --- | ||
| Td (روشن) | زمان تأخیر روشن | VDD = 15V ، VGS = 10V ، RG = 1.5 شناسه = 20A | --- | 6.4 | --- | |
| TR | زمان برخاستن | --- | 39 | --- | ||
| Td (خاموش) | زمان تأخیر خاموش | --- | 21 | --- | ||
| Tf | زمان سقوط | --- | 4.7 | --- | ||
| سیس | ظرفیت ورودی | VDS = 15V ، VGS = 0V ، f = 1MHz | --- | 896 | --- | |
| گاو | ظرفیت خروجی | --- | 126 | --- | ||
| کرز | ظرفیت انتقال معکوس | --- | 108 | --- | ||
| است | منبع جریان مداوم 1،5 | VG = VD = 0V ، نیروی فعلی | --- | --- | 37 | آ |
| ISM | منبع پالس فعلی2.5 | --- | --- | 75 | آ | |
| VSD | دیود به جلو Voltage2 | VGS = 0V ، IS = 1A ، TJ = 25 | --- | --- | 1 | V |
توجه داشته باشید :
1. داده های آزمایش شده توسط سطح نصب شده بر روی صفحه 1 اینچ FR-4 با مس 2OZ.
2. داده های آزمایش شده توسط پالس ، پالس عرض 300، ، چرخه وظیفه 2 ≦
3. داده EAS حداکثر را نشان می دهد. رتبه بندی شرط آزمایش VDD = 25V ، VGS = 10V ، L = 0.1mH ، IAS = 22A است
اتلاف برق توسط دمای اتصال 175 limited محدود شده است
5- داده ها از نظر تئوریک همانند ID و IDM هستند ، در برنامه های واقعی باید با اتلاف کل قدرت محدود شود.
توجه
1 ، هر و همه محصولات میکروالکترونیکی APM که در اینجا شرح داده شده و یا حاوی آنها می باشد ، مشخصات لازم را ندارند که می توانند برنامه هایی را که به سطح بسیار بالایی از قابلیت اطمینان نیاز دارند ، مانند سیستم های پشتیبانی از زندگی ، سیستم های کنترل هواپیما یا سایر برنامه های کاربردی که عملکرد آنها از حد معقول انتظار می رود ، انجام دهند. آسیب جدی جسمی و / یا مادی. قبل از استفاده از هرگونه محصولات میکروالکترونیکی APM که در این گونه برنامه ها شرح داده شده یا در این قسمت وجود دارد ، با نزدیکترین نماینده Microelectronic APM خود مشورت کنید.
2 ، APM Microelectronic هیچ مسئولیتی در مورد خرابی تجهیزات ناشی از استفاده از محصولات در مقادیری که بیش از حد ، حتی لحظه ای از مقادیر دارای امتیاز (مانند حداکثر رتبه بندی ، دامنه شرایط کار یا سایر پارامترها) نیست ، در نظر گرفته شده در مشخصات محصولات مربوط به همه محصولات میکروالکترونیکی APM است. شرح داده شده یا موجود در اینجا
3 ، مشخصات مربوط به محصولات Microelectronic APM شرح داده شده یا موجود در آن ، عملکرد ، خصوصیات و عملکرد محصولات توصیف شده را در حالت مستقل القا می کند و ضمانت عملکرد ، خصوصیات و عملکرد محصولات توصیف شده در داخل را نشان نمی دهد. محصولات یا تجهیزات مشتری. برای تأیید علائم و حالاتی که در دستگاه مستقل قابل ارزیابی نیستند ، مشتری همیشه باید دستگاههای نصب شده در محصولات یا تجهیزات مشتری را ارزیابی و آزمایش کند.
4، شرکت نیمه هادی APM میکروالکترونیک ، LTD. تلاش می کند محصولات با کیفیت بالا و با کیفیت بالا را تهیه کند. با این حال ، همه و تمام محصولات نیمه هادی با احتمال کمی شکست می خورند. این احتمال وجود دارد که این شکستهای احتمالی می تواند حوادث یا حوادثی را به وجود آورد که می تواند جان انسان را به خطر اندازد که می تواند باعث دود یا آتش سوزی شود ، یا ممکن است باعث خسارت به سایر اموال شود. تجهیزات طراحی سایت ، اقدامات ایمنی را اتخاذ کنید تا این نوع حوادث یا حوادث رخ ندهد. چنین اقدامات شامل ، اما محدود به مدارهای محافظ و مدارهای پیشگیری از خطا برای طراحی ایمن ، طراحی اضافی و طراحی سازه نیست.
5 ، در صورتی که هر یک از محصولات میکروالکترونیکی APM (از جمله داده های فنی ، خدمات) که شرح داده شده و یا در آنها وجود دارد ، تحت هر یک از قوانین و مقررات مربوط به کنترل صادرات محلی کنترل می شوند ، چنین کالاهایی بدون اخذ مجوز صادراتی از مراجع قانونی نباید صادر شوند. مطابق قانون فوق.
6 ، هیچ بخشی از این نشریه نمی تواند به هر شکلی و یا به هر وسیله ، الکترونیکی یا مکانیکی ، از جمله فتوکپی و ضبط ، یا هر سیستم ذخیره اطلاعات یا بازیابی اطلاعات ، تولید شود یا منتقل شود ، و یا در غیر این صورت ، بدون اجازه کتبی قبلی APM Microelectronic نیمه هادی CO . ، LTD.
7 ، اطلاعات (شامل نمودار مدار و پارامترهای مدار) در اینجا فقط به عنوان مثال است. برای تولید حجم تضمین نمی شود. میکروالكترونیك APM معتقد است كه اطلاعات در اینجا دقیق و قابل اعتماد است ، اما هیچ گونه تضمینی در مورد استفاده از آن یا هرگونه تخلف از حقوق مالکیت معنوی یا سایر حقوق شخص ثالث ارائه نشده یا دلالت دارد.
8 ، هر و تمام اطلاعات توصیف شده یا موجود در اینجا به دلیل بهبود محصول / فناوری و غیره در معرض تغییر هستند. هنگام طراحی تجهیزات ، برای محصول میکروالکترونیک APM که قصد استفاده از آن را دارید ، به "مشخصات تحویل" مراجعه کنید.
تماس با شخص: David
