|
جزئیات محصول:
|
| نام محصول: | ترانزیستور سوئیچینگ با فرکانس بالا | مدل: | AP7H03DF |
|---|---|---|---|
| بسته: | DFN3 * 3-8L | نشانه گذاری: | AP7H03DF XXX YYYY |
| ولتاژ VDSDrain-Source: | 30 ولت | ولتاژ VGSGate-Sce rce: | 20A پوند |
| برجسته: | n ترانزیستور کانال mosfet,ترانزیستور ولتاژ بالا |
||
فرکانس بالای ترانزیستور اثر میدان کانال AP7H03DF 7A 30V DFN33 N Channel Mos
توضیحات اثر ترانزیستور اثر کانال N Mos :
AP7H03DF بالاترین سنگر عملکرد است
N-ch MOSFET با چگالی سلول شدید
RDSON و شارژ گیت عالی
برای بیشتر سوئیچینگ قدرت کوچک و
برنامه های سوئیچ بار. دیدار با RoHS و
مورد نیاز محصول با قابلیت اطمینان کامل عملکرد تأیید شده است.
ویژگی های کانال ترانزیستور اثر کانال N Mos
VDS = 30V ID = 7A
RDS (ON) <18mΩ @ VGS = 4.5V
RDS (ON) <30mΩ @ VGS = 2.5V
جزئیات
Mos Field Effect Transistor در بسیاری از برنامه های منبع تغذیه و برق به طور کلی بخصوص به عنوان سوئیچ ها استفاده می شود. انواع مختلف شامل MOSFET های مسطح ، VMOS ، UMOS TrenchMOS ، HEXFET ها و سایر مارک های مختلف است.
مارک بسته بندی و اطلاعات سفارش
| شناسه محصول | بسته | نشانه گذاری | Qty (PCS) |
| AP7H03DF | DFN3 * 3-8L | AP7H03DF XXX YYYY | 5000 |
حداکثر رتبه بندی مطلق (T A = 25 ℃ مگر اینکه در موارد دیگری ذکر شده باشد)
| نماد | پارامتر | رتبه بندی | واحدها |
| V DS | ولتاژ منبع زهکشی | 30 | V |
| V GS | ولتاژ گیت-سو rce | 20 پوند | V |
| ID @ TC = 25 | جریان تخلیه مداوم ، V GS @ 10V 1 | 7 | آ |
| شناسه @ TC = 100 | جریان تخلیه مداوم ، V GS @ 10V 1 | 5 | آ |
| ID @ TA = 25 | جریان تخلیه مداوم ، V GS @ 10V 1 | 6.4 | آ |
| ID @ TA = 70 | جریان تخلیه مداوم ، V GS @ 10V 1 | 6 | آ |
| IDM | زهکشی پالس جریان 2 | 56 | آ |
| آسان است | تک انرژی بهمن پالس 3 | 22.1 | mJ |
| IAS | بهمن فعلی | 21 | آ |
| PD @ TC = 25 | جمع کل قدرت 4 | 20.8 | W |
| PD @ TA = 25 | جمع کل قدرت 4 | 1.67 | W |
| TSTG | محدوده دمای ذخیره سازی | -55 تا 150 | ℃ |
| TJ | محدوده دمای عملکرد اتصالات | -55 تا 150 | ℃ |
| روتاجا | مقاومت حرارتی اتصال-محیط 1 | 75 | ℃ / W |
| RithJC | اتصالات مقاومت حرارتی-مورد 1 | 6 | ℃ / W |
خصوصیات الکتریکی (T J = 25 ℃ ، مگر اینکه در موارد دیگری ذکر شده باشد)
| نماد | پارامتر | شرایط | حداقل | نوع | حداکثر | واحد |
| BV DSS | ولتاژ شکست جریان منبع تخلیه | V GS = 0V ، ID = 250uA | 30 | --- | --- | V |
| BV DSS / △ TJ | ضریب دما BVDSS | مراجعه به 25 ℃ ، ID = 1mA | --- | 0.022 | --- | V / |
RDS (روشن) | منبع مقاومت در برابر زهکشی استاتیک 2 | V GS = 10V ، ID = 10A | --- | --- | 18 | mΩ |
| V GS = 4.5V ، ID = 5A | --- | --- | 30 | |||
| V GS (هفتم) | ولتاژ آستانه گیت | V GS = V DS ، ID = 250uA | 1.0 | --- | 2.5 | V |
| △ VGS (هفتم) | ضریب دما V GS (هفتم) | --- | -5.1 | --- | mV / | |
| IDSS | جریان نشت منبع زهکشی | V DS = 24V ، V GS = 0V ، TJ = 25 | --- | --- | 1 | تو |
| V DS = 24V ، V GS = 0V ، TJ = 55 | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | جریان نشت منبع دروازه | V GS = V 20V ، V DS = 0V | --- | --- | 100 پوند | NA |
| gfs | Transconductance رو به جلو | V DS = 5V ، ID = 10A | --- | 4.5 | --- | س |
| Rg | مقاومت دروازه | V DS = 0V ، V GS = 0V ، f = 1MHz | --- | 2.5 | --- | اوه |
| Qg | شارژ کامل دروازه (4.5 ولت) | --- | 7.2 | --- | ||
| Qgs | شارژ منبع دروازه | --- | 1.4 | --- | ||
| Qgd | شارژ دروازه-تخلیه | --- | 2.2 | --- | ||
| Td (روشن) | زمان تأخیر روشن | V DD = 12V ، V GS = 10V ، RG = 3.3 شناسه = 5A | --- | 4.1 | --- | ns |
| TR | ||||||
| Td (خاموش) | زمان تأخیر خاموش | --- | 15.5 | --- | ||
| Tf | زمان سقوط | --- | 6.0 | --- | ||
| سیس | ظرفیت ورودی | --- | 572 | --- | ||
| گاو | ظرفیت خروجی | --- | 81 | --- | ||
| کرز | ظرفیت انتقال معکوس | --- | 65 | --- | ||
| است | منبع جریان مداوم 1،5 | VG = VD = 0V ، نیروی فعلی | --- | --- | 28 | آ |
| ISM | منبع پالس جریان فعلی 2،5 | --- | --- | 56 | آ | |
| V SD | دیود به جلو ولتاژ 2 | V GS = 0V ، IS = 1A ، TJ = 25 | --- | --- | 1.2 | V |
| نماد | پارامتر | شرایط | حداقل | نوع | حداکثر | واحد |
| BV DSS | ولتاژ شکست جریان منبع تخلیه | V GS = 0V ، ID = 250uA | 30 | --- | --- | V |
| BV DSS / △ TJ | ضریب دما BVDSS | مراجعه به 25 ℃ ، ID = 1mA | --- | 0.022 | --- | V / |
RDS (روشن) | منبع مقاومت در برابر زهکشی استاتیک 2 | V GS = 10V ، ID = 10A | --- | --- | 18 | mΩ |
| V GS = 4.5V ، ID = 5A | --- | --- | 30 | |||
| V GS (هفتم) | ولتاژ آستانه گیت | V GS = V DS ، ID = 250uA | 1.0 | --- | 2.5 | V |
| △ VGS (هفتم) | ضریب دما V GS (هفتم) | --- | -5.1 | --- | mV / | |
| IDSS | جریان نشت منبع زهکشی | V DS = 24V ، V GS = 0V ، TJ = 25 | --- | --- | 1 | تو |
| V DS = 24V ، V GS = 0V ، TJ = 55 | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | جریان نشت منبع دروازه | V GS = V 20V ، V DS = 0V | --- | --- | 100 پوند | NA |
| gfs | Transconductance رو به جلو | V DS = 5V ، ID = 10A | --- | 4.5 | --- | س |
| Rg | مقاومت دروازه | V DS = 0V ، V GS = 0V ، f = 1MHz | --- | 2.5 | --- | اوه |
| Qg | شارژ کامل دروازه (4.5 ولت) | --- | 7.2 | --- | ||
| Qgs | شارژ منبع دروازه | --- | 1.4 | --- | ||
| Qgd | شارژ دروازه-تخلیه | --- | 2.2 | --- | ||
| Td (روشن) | زمان تأخیر روشن | V DD = 12V ، V GS = 10V ، RG = 3.3 شناسه = 5A | --- | 4.1 | --- | ns |
| TR | ||||||
| Td (خاموش) | زمان تأخیر خاموش | --- | 15.5 | --- | ||
| Tf | زمان سقوط | --- | 6.0 | --- | ||
| سیس | ظرفیت ورودی | --- | 572 | --- | ||
| گاو | ظرفیت خروجی | --- | 81 | --- | ||
| کرز | ظرفیت انتقال معکوس | --- | 65 | --- | ||
| است | منبع جریان مداوم 1،5 | VG = VD = 0V ، نیروی فعلی | --- | --- | 28 | آ |
| ISM | منبع پالس جریان فعلی 2،5 | --- | --- | 56 | آ | |
| V SD | دیود به جلو ولتاژ 2 | V GS = 0V ، IS = 1A ، TJ = 25 | --- | --- | 1.2 | V |
توجه داشته باشید :
1. داده های آزمایش شده توسط سطح نصب شده بر روی صفحه 1 اینچ FR-4 با مس 2OZ.
2. داده های آزمایش شده توسط پالس ، پالس عرض 300، ، چرخه وظیفه 2 ≦
داده های EAS حداکثر را نشان می دهد. رتبه بندی شرایط آزمایش V DD = 25V ، VGS = 10V ، L = 0.1mH ، IAS = 21A است
اتلاف برق توسط دمای اتصال 150 limited محدود شده است
5- داده ها از نظر تئوریک همان شناسه و I DM هستند ، در برنامه های واقعی باید با اتلاف برق کل محدود شوند.
توجه
1 ، هر و همه محصولات میکروالکترونیکی APM که در اینجا شرح داده شده و یا حاوی آنها می باشد ، مشخصات لازم را ندارند که می توانند برنامه هایی را که به سطح بسیار بالایی از قابلیت اطمینان نیاز دارند ، مانند سیستم های پشتیبانی از زندگی ، سیستم های کنترل هواپیما یا سایر برنامه های کاربردی که عملکرد آنها از حد معقول انتظار می رود ، انجام دهند. آسیب جدی جسمی و / یا مادی. قبل از استفاده از هرگونه محصولات میکروالکترونیکی APM که در این گونه برنامه ها شرح داده شده یا در این قسمت وجود دارد ، با نزدیکترین نماینده Microelectronic APM خود مشورت کنید.
2 ، APM Microelectronic هیچ مسئولیتی در مورد خرابی تجهیزات ناشی از استفاده از محصولات در مقادیری که بیش از حد ، حتی لحظه ای ، از مقادیر دارای امتیاز (مانند حداکثر رتبه بندی ، دامنه شرایط کار یا پارامترهای دیگر) نیست ، در نظر می گیرد. شرح داده شده یا موجود در اینجا
1 ، مشخصات مربوط به محصولات Microelectronic APM که در اینجا شرح داده شده یا حاوی آنهاست ، عملکرد ، خصوصیات و کارکردهای محصولات توصیف شده را در حالت مستقل القا می کند و ضمانت عملکرد ، خصوصیات و کارکردهای محصولات توصیف شده در داخل را نشان نمی دهد. محصولات یا تجهیزات مشتری. برای تأیید علائم و حالاتی که در دستگاه مستقل قابل ارزیابی نیستند ، مشتری همیشه باید دستگاههای نصب شده در محصولات یا تجهیزات مشتری را ارزیابی و آزمایش کند.
2، شرکت نیمه هادی APM میکروالکترونیک ، LTD. تلاش می کند محصولات با کیفیت بالا و با کیفیت بالا را تهیه کند. با این حال ، همه و تمام محصولات نیمه هادی با احتمال کمی شکست می خورند. این احتمال وجود دارد که این شکستهای احتمالی می تواند حوادث یا حوادثی را به وجود آورد که می تواند جان انسان را به خطر اندازد که می تواند باعث دود یا آتش سوزی شود ، یا ممکن است باعث خسارت به سایر اموال شود. تجهیزات طراحی سایت ، اقدامات ایمنی را اتخاذ کنید تا این نوع حوادث یا حوادث رخ ندهد. چنین اقدامات شامل ، اما محدود به مدارهای محافظ و مدارهای پیشگیری از خطا برای طراحی ایمن ، طراحی اضافی و طراحی سازه نیست.
3 ، در صورتيكه هر كدام از محصولات ميكروالكترونيك APM (از جمله داده هاي فني ، خدمات) توضيح داده يا حاوي آن تحت هر يك از قوانين و مقررات مربوط به كنترل صادرات محلي كنترل شوند ، اين محصولات نبايد بدون اخذ مجوز صادرات از سوي مقامات صادر شوند. مطابق قانون فوق.
4 ، هیچ بخشی از این نشریه نمی تواند به هر شکلی و یا به هر وسیله ، الکترونیکی یا مکانیکی ، از جمله فتوکپی و ضبط ، یا هر سیستم ذخیره سازی اطلاعات یا بازیابی ، یا در غیر این صورت ، بدون مجوز کتبی APM میکروالکترونیک نیمه هادی CO ، تکثیر یا انتقال یابد. . ، LTD.
5 ، اطلاعات (شامل نمودار مدار و پارامترهای مدار) در اینجا فقط برای مثال است. برای تولید حجم تضمین نمی شود. میکروالكترونیك APM معتقد است كه اطلاعات در اینجا دقیق و قابل اعتماد است ، اما هیچ گونه تضمینی در مورد استفاده از آن یا هرگونه تخلف از حقوق مالکیت معنوی یا سایر حقوق شخص ثالث ارائه نشده یا دلالت دارد.
هر اطلاعات و توضیحات موجود در اینجا بدون توجه به دلیل پیشرفت محصول / فناوری و غیره قابل تغییر است. هنگام طراحی تجهیزات ، برای محصول میکروالکترونیک APM که قصد استفاده از آن را دارید ، به "مشخصات تحویل" مراجعه کنید
تماس با شخص: David
