|
جزئیات محصول:
|
| نام محصول: | ترانزیستورهای مکمل قدرت | مدل: | AP5N10LI |
|---|---|---|---|
| نشانه گذاری: | MA6S | پک: | SOT23 |
| ولتاژ VDSDrain-Source: | 100 ولت | ولتاژ VGSGate-Sce rce: | 20A پوند |
| برجسته: | n ترانزیستور کانال mosfet,ترانزیستور ولتاژ بالا |
||
ترانزیستورهای قدرت تکمیلی اصلی / ترانزیستور تأثیر میدان AP5N10LI
توضیحات ترانزیستورهای قدرت مکمل
AP5N10LI از فن آوری پیشرفته سنگر استفاده می کند تا R DS عالی (ON) ، شارژ دروازه کم و کار با ولتاژ دروازه به حداقل 4.5 ولت را ارائه دهد. این دستگاه برای استفاده به عنوان محافظت از باتری یا سایر برنامه های سوئیچینگ مناسب است.
ویژگی های ترانزیستورهای مکمل قدرت
VDS = 100V ID = 5A
برنامه RDS (ON) <140mΩ @ VGS = 4.5V برنامه
محافظت از باتری
سوئیچ بار
منبع تغذیه اضطراری
مارک بسته بندی و اطلاعات سفارش
| شناسه محصول | بسته | نشانه گذاری | Qty (PCS) |
| AP5N10LI | SOT23-6 | MA6S | 3000 |
حداکثر رتبه بندی مطلق در Tj = 25 ℃ مگر اینکه در موارد دیگری ذکر شده باشد
| پارامتر | نماد | مقدار | واحد |
| ولتاژ منبع تخلیه | VDS | 100 | V |
| ولتاژ منبع دروازه | VGS | 20 پوند | V |
| جریان تخلیه مداوم ، TC = 25 | شناسه | 5 | آ |
| جریان تخلیه پالس ، TC = 25 | شناسه ، نبض | 15 | آ |
| اتلاف برق ، TC = 25 | پ د | 17 | W |
| انرژی بهمن تک پالس 5) | آسان است | 1.2 | mJ |
| دمای کار و ذخیره سازی | Tstg ، Tj | -55 تا 150 | ℃ |
| مقاومت حرارتی ، مورد اتصال | RithJC | 7.4 | ℃ / W |
| مقاومت حرارتی ، محل اتصال-محیط 4) | روتاجا | 62 | ℃ / W |
ویژگی های الکتریکی در حالت تقویت کانال N AP کانال T AP5N10LI 100V MOSFET j = 25 ℃ مگر اینکه در غیر این صورت مشخص شده باشد
| نماد | پارامتر | شرایط آزمایشی | حداقل | نوع | حداکثر | واحد |
| BVDSS | ولتاژ خرابی منبع تخلیه | V = 0 V ، ID = 250 μA | 100 | V | ||
| VGS (هفتم) | ولتاژ آستانه گیت | V = V ، ID = 250 μA | 1.2 | 1.5 | 2.5 | V |
| RDS (روشن) | مقاومت در برابر منبع زهکشی | VGS = 10 ولت ، ID = 5 A | 110 | 140 | mΩ | |
| RDS (روشن) | مقاومت در برابر منبع زهکشی | V = 4.5 V ، ID = 3 A | 160 | 180 | mΩ | |
IGSS | جریان نشت منبع دروازه | V = 20 ولت | 100 | NA | ||
| V = -20 V | -100 | |||||
| IDSS | جریان نشت منبع زهکشی | VDS = 100 V ، VGS = 0 V | 1 | تو | ||
| سیس | خازن ورودی | V = 0 V ، | 206.1 | PF | ||
| گاو | خازن خروجی | 28.9 | PF | |||
| کرز | خازن انتقال معکوس | 1.4 | PF | |||
| td (روشن) | زمان تأخیر روشن | VGS = 10 ولت ، VDS = 50 ولت ، | 14.7 | ns | ||
| TR | زمان برخاستن | 3.5 | ns | |||
| td (خاموش) | زمان تأخیر خاموش | 20.9 | ns | |||
تی f | زمان سقوط | 2.7 | ns | |||
| Qg | هزینه کل دروازه | 4.3 | nC | |||
| Qgs | شارژ منبع دروازه | 1.5 | nC | |||
| Qgd | شارژ تخلیه دروازه | 1.1 | nC | |||
| ویپلو | ولتاژ فلات دروازه | 5.0 | V | |||
| است | جریان دیود به جلو | VGS <Vth | 7 | آ | ||
| ISP | منبع پالس جریان | 21 | ||||
| VSD | ولتاژ رو به جلو دیود | IS = 7 A، VGS = 0 V | 1.0 | V | ||
تی rr | زمان ریکاوری معکوس | 32.1 | ns | |||
| Qrr | هزینه بازیابی معکوس | 39.4 | nC | |||
| Irmm | جریان بازیابی معکوس قله | 2.1 | آ |
| نماد | پارامتر | شرایط آزمایشی | حداقل | نوع | حداکثر | واحد |
| BVDSS | ولتاژ خرابی منبع تخلیه | V = 0 V ، ID = 250 μA | 100 | V | ||
| VGS (هفتم) | ولتاژ آستانه گیت | V = V ، ID = 250 μA | 1.2 | 1.5 | 2.5 | V |
| RDS (روشن) | مقاومت در برابر منبع زهکشی | VGS = 10 ولت ، ID = 5 A | 110 | 140 | mΩ | |
| RDS (روشن) | مقاومت در برابر منبع زهکشی | V = 4.5 V ، ID = 3 A | 160 | 180 | mΩ | |
IGSS | جریان نشت منبع دروازه | V = 20 ولت | 100 | NA | ||
| V = -20 V | -100 | |||||
| IDSS | جریان نشت منبع زهکشی | VDS = 100 V ، VGS = 0 V | 1 | تو | ||
| سیس | خازن ورودی | V = 0 V ، | 206.1 | PF | ||
| گاو | خازن خروجی | 28.9 | PF | |||
| کرز | خازن انتقال معکوس | 1.4 | PF | |||
| td (روشن) | زمان تأخیر روشن | VGS = 10 ولت ، VDS = 50 ولت ، | 14.7 | ns | ||
| TR | زمان برخاستن | 3.5 | ns | |||
| td (خاموش) | زمان تأخیر خاموش | 20.9 | ns | |||
تی f | زمان سقوط | 2.7 | ns | |||
| Qg | هزینه کل دروازه | 4.3 | nC | |||
| Qgs | شارژ منبع دروازه | 1.5 | nC | |||
| Qgd | شارژ تخلیه دروازه | 1.1 | nC | |||
| ویپلو | ولتاژ فلات دروازه | 5.0 | V | |||
| است | جریان دیود به جلو | VGS <Vth | 7 | آ | ||
| ISP | منبع پالس جریان | 21 | ||||
| VSD | ولتاژ رو به جلو دیود | IS = 7 A، VGS = 0 V | 1.0 | V | ||
تی rr | زمان ریکاوری معکوس | 32.1 | ns | |||
| Qrr | هزینه بازیابی معکوس | 39.4 | nC | |||
| Irmm | جریان بازیابی معکوس قله | 2.1 | آ |
توجه داشته باشید
1) جریان مداوم براساس حداکثر دمای اتصال مجاز محاسبه می شود.
2) رتبه تکراری؛ پالس عرض حداکثر محدود شده است. دمای اتصال.
3) Pd بر اساس حداکثر است. دمای اتصال ، با استفاده از مقاومت حرارتی مورد اتصال.
4) مقدار RθJA با دستگاه نصب شده بر روی 1 در 2 تخته FR-4 با 2oz اندازه گیری می شود. مس ، در یک محیط هوای آرام با T a = 25 درجه سانتی گراد. 5) VDD = 50 V ، RG = 50 Ω ، L = 0.3 mH ، شروع Tj = 25 درجه سانتیگراد.
توجه
1 ، هر و همه محصولات میکروالکترونیکی APM که در اینجا شرح داده شده و یا حاوی آنها می باشد ، مشخصات لازم را ندارند که می توانند برنامه هایی را که به سطح بسیار بالایی از قابلیت اطمینان نیاز دارند ، مانند سیستم های پشتیبانی از زندگی ، سیستم های کنترل هواپیما یا سایر برنامه های کاربردی که عملکرد آنها از حد معقول انتظار می رود ، انجام دهند. آسیب جدی جسمی و / یا مادی. قبل از استفاده از هرگونه محصولات میکروالکترونیکی APM که در این گونه برنامه ها شرح داده شده یا در این قسمت وجود دارد ، با نزدیکترین نماینده Microelectronic APM خود مشورت کنید.
2 ، APM Microelectronic هیچ مسئولیتی در مورد خرابی تجهیزات ناشی از استفاده از محصولات در مقادیری که بیش از حد ، حتی لحظه ای ، از مقادیر دارای امتیاز (مانند حداکثر رتبه بندی ، دامنه شرایط کار یا پارامترهای دیگر) نیست ، در نظر می گیرد. شرح داده شده یا موجود در اینجا
3 ، مشخصات مربوط به محصولات Microelectronic APM شرح داده شده یا موجود در آن ، عملکرد ، خصوصیات و عملکرد محصولات توصیف شده را در حالت مستقل القا می کند و ضمانت عملکرد ، خصوصیات و عملکرد محصولات توصیف شده در داخل را نشان نمی دهد. محصولات یا تجهیزات مشتری. برای تأیید علائم و حالاتی که در دستگاه مستقل قابل ارزیابی نیستند ، مشتری همیشه باید دستگاههای نصب شده در محصولات یا تجهیزات مشتری را ارزیابی و آزمایش کند.
4، شرکت نیمه هادی APM میکروالکترونیک ، LTD. تلاش می کند محصولات با کیفیت بالا و با کیفیت بالا را تهیه کند. با این حال ، همه و تمام محصولات نیمه هادی با احتمال کمی شکست می خورند. این احتمال وجود دارد که این شکستهای احتمالی می تواند حوادث یا حوادثی را به وجود آورد که می تواند جان انسان را به خطر اندازد که می تواند باعث دود یا آتش سوزی شود ، یا ممکن است باعث خسارت به سایر اموال شود. تجهیزات طراحی سایت ، اقدامات ایمنی را اتخاذ کنید تا این نوع حوادث یا حوادث رخ ندهد. چنین اقدامات شامل ، اما محدود به مدارهای محافظ و مدارهای پیشگیری از خطا برای طراحی ایمن ، طراحی اضافی و طراحی سازه نیست.
5 ، در صورتی که هر یک از محصولات میکروالکترونیکی APM (از جمله داده های فنی ، خدمات) که شرح داده شده و یا در آنها وجود دارد ، تحت هر یک از قوانین و مقررات مربوط به کنترل صادرات محلی کنترل می شوند ، چنین کالاهایی بدون اخذ مجوز صادراتی از مراجع قانونی نباید صادر شوند. مطابق قانون فوق.
6 ، هیچ بخشی از این نشریه نمی تواند به هر شکلی و یا به هر وسیله ، الکترونیکی یا مکانیکی ، از جمله فتوکپی و ضبط ، یا هر سیستم ذخیره اطلاعات یا بازیابی اطلاعات ، تولید شود یا منتقل شود ، و یا در غیر این صورت ، بدون اجازه کتبی قبلی APM Microelectronic نیمه هادی CO . ، LTD.
7 ، اطلاعات (شامل نمودار مدار و پارامترهای مدار) در اینجا فقط به عنوان مثال است. برای تولید حجم تضمین نمی شود. میکروالكترونیك APM معتقد است كه اطلاعات در اینجا دقیق و قابل اعتماد است ، اما هیچ گونه تضمینی در مورد استفاده از آن یا هرگونه تخلف از حقوق مالکیت معنوی یا سایر حقوق شخص ثالث ارائه نشده یا دلالت دارد.
هر اطلاعات و توضیحات موجود در اینجا بدون توجه به دلیل پیشرفت محصول / فناوری و غیره قابل تغییر است. هنگام طراحی تجهیزات ، برای محصول میکروالکترونیک APM که قصد استفاده از آن را دارید ، به "مشخصات تحویل" مراجعه کنید.
تماس با شخص: David
