|
جزئیات محصول:
|
| نام محصول: | ترانزیستور اثر میدانی | ولتاژ منبع تخلیه V DSS: | 40 ولت |
|---|---|---|---|
| ولتاژ منبع تغذیه V GSS: | ± 20 ولت | دمای حداکثر اتصال TJ: | 175 درجه سانتیگراد |
| محدوده دمای ذخیره سازی T STG: | -55 تا 150 درجه سانتی گراد | منبع جریان جریان مداوم (دیود بدنه): | 250A |
| برجسته: | سوئیچ mosfet منطقی,درایور mosfet با استفاده از ترانزیستور |
||
ترانزیستور / اثر اثر میدانی قابل اعتماد و ناهموار / Mosfet با فرکانس بالا
ویژگی اثر ترانزیستور اثر میدانی
40V / 250A
R DS (ON) = m (نوع.) @ V GS = 10 ولت
100٪ بهمن تست شده است
قابل اعتماد و ناهموار
سرب FreeandGreenDevices در دسترس است
(RoHSCompliant)
برنامه های کاربردی ترانزیستور اثر افکت میدانی
برنامه تعویض
مدیریت انرژی برای سیستم های اینورتر
اعتبار حداکثر مطلق
تماس با شخص: David
